Infineon NPN射频三极管, SOT-343, IC 50 mA, VCEO 4.1 V, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 259-1442P
- 制造商零件编号:
- BFP640H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 75 | RMB1.737 |
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| 250 - 975 | RMB1.668 |
| 1000 + | RMB1.634 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1442P
- 制造商零件编号:
- BFP640H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 50 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 4.1 V | |
| 封装类型 | SOT-343 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 50 mA | ||
最大集电极-发射极电压 4.1 V | ||
封装类型 SOT-343 | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon 硅钼碳 (SiGe:C) NPN 异接通宽带双极射频晶体管 (HBT),采用塑料双发射器标准封装,带可见引线。该设备配有内部保护电路,可强化耐 ESD 和高射频输入功率的坚固性。该设备结合了坚固性和非常高的射频增益以及低工作电流时的最低噪声数字,适用于各种无线应用。BFP640ESD 特别适用于降低功耗是关键要求的便携式电池供电应用。器件设计支持高达 4.1 V 的集电极电压。
坚固的高性能低噪声放大器,基于 Infineon 的可靠
由于集成保护电路,具有 2 kV ESD 坚固性 (HBM)
高最大射频输入功率为 21 dBm
由于集成保护电路,具有 2 kV ESD 坚固性 (HBM)
高最大射频输入功率为 21 dBm