Infineon NPN射频三极管, TSFP-4-1, IC 45 mA, VCEO 4.2 V, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 259-1452P
- 制造商零件编号:
- BFP740H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 75 | RMB1.593 |
| 100 - 225 | RMB1.514 |
| 250 - 975 | RMB1.408 |
| 1000 + | RMB1.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1452P
- 制造商零件编号:
- BFP740H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 45 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 4.2 V | |
| 封装类型 | TSFP-4-1 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 45 mA | ||
最大集电极-发射极电压 4.2 V | ||
封装类型 TSFP-4-1 | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon 硅镀锌碳 (SiGe:C) NPN 异接通宽带双极射频晶体管 (HBT),带集成 ESD 保护。它是高端射频性能和坚固性的独特组合:21 dBm 最大射频输入功率,2 kV ESD 坚固性 (HBM),由于集成保护电路。
2.4 GHz 时 NFmin 0.6 dB,5.5 GHz 时 0.8 dB,3V,6 mA
2.4 GHz 时高增益 Gms 26 dB,5.5 GHz 时 Gma 20.5 dB,3V,25 mA
OIP3 23.5 dBm @ 5.5 GHz,25 mA
薄型和小尺寸无铅封装
2.4 GHz 时高增益 Gms 26 dB,5.5 GHz 时 Gma 20.5 dB,3V,25 mA
OIP3 23.5 dBm @ 5.5 GHz,25 mA
薄型和小尺寸无铅封装