Infineon 射频双极晶体管, US, 6引脚, IC 65 mA NPN, VCEO 20 V, VCBO 20 V, 表面安装
- RS 库存编号:
- 259-1460P
- 制造商零件编号:
- BFS483H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
¥122.40
(不含税)
¥138.30
(含税)
有库存
- 另外 4,820 件在 2026年2月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB2.448 |
| 100 - 240 | RMB2.325 |
| 250 - 990 | RMB2.163 |
| 1000 + | RMB1.969 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1460P
- 制造商零件编号:
- BFS483H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 射频双极晶体管 | |
| 最大直流集电极电流 Idc | 65mA | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 20V | |
| 包装类型 | US | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 20V | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 2V | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大转换频率 ft | 8GHz | |
| 最大功耗 Pd | 450mW | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最小直流电流增益 hFE | 70 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 系列 | BFS | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 宽度 | 2 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 射频双极晶体管 | ||
最大直流集电极电流 Idc 65mA | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 20V | ||
包装类型 US | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 20V | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 2V | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大转换频率 ft 8GHz | ||
最大功耗 Pd 450mW | ||
晶体管极性 NPN | ||
最小直流电流增益 hFE 70 | ||
最高工作温度 150°C | ||
引脚数目 6 | ||
标准/认证 RoHS | ||
系列 BFS | ||
长度 2.1mm | ||
高度 0.9mm | ||
宽度 2 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon NPN 硅射频晶体管,用于 2 mA 至 30 mA 集电流时的低噪声、高增益宽带放大器。
无铅(符合 RoHS)封装
两个(电化)内部隔离晶体管在一个封装中