Infineon 射频双极晶体管, TSFP-4-1, 4引脚, IC 80 mA NPN, VCEO 7.5 V, VCBO 7.5 V, 表面安装
- RS 库存编号:
- 261-3946
- 制造商零件编号:
- BFP620FH7764XTSA1
- 制造商:
- Infineon
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 261-3946
- 制造商零件编号:
- BFP620FH7764XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 射频双极晶体管 | |
| 最大直流集电极电流 Idc | 80mA | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 7.5V | |
| 包装类型 | TSFP-4-1 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | NPN | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 7.5V | |
| 最大转换频率 ft | 65GHz | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 185mW | |
| 最小直流电流增益 hFE | 110 | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 1.4mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 系列 | BFP | |
| 高度 | 0.55mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 射频双极晶体管 | ||
最大直流集电极电流 Idc 80mA | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 7.5V | ||
包装类型 TSFP-4-1 | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 NPN | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 7.5V | ||
最大转换频率 ft 65GHz | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 1.2V | ||
最大功耗 Pd 185mW | ||
最小直流电流增益 hFE 110 | ||
晶体管极性 NPN | ||
引脚数目 4 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 1.4mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
系列 BFP | ||
高度 0.55mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 薄型高增益硅 NPN 射频双极晶体管,其高增益和低噪声特性使该设备适用于高达 6 GHz 的频率。它保持了成本竞争力,而不影响易于使用。
SDARS 接收器中的低噪声放大器
低噪声放大器,用于无线通信
相关链接
- Infineon BFP620FH7764XTSA1 射频双极晶体管, TSFP-4-1, 4引脚, IC 80 mA NPN, VCEO 7.5 V, VCBO 7.5 V, 表面安装
- Infineon NPN 射频双极晶体管, TSFP, 4引脚, IC 50 mA NPN, VCEO 4 V, VCBO 13 V, 表面安装
- Infineon BFP640FH6327XTSA1 NPN 射频双极晶体管, TSFP, 4引脚, IC 50 mA NPN, VCEO 4 V, VCBO 13 V, 表面安装
- Infineon 射频双极晶体管, TSFP-4-1, 4引脚, IC 25 mA NPN, VCEO 13 V, VCBO 13 V, 表面安装
- Infineon 射频双极晶体管, SOT-343, 4引脚, IC 7.5 mA NPN, VCEO 80 V, VCBO 7.5 V, 表面安装
- Infineon BFP620H7764XTSA1 射频双极晶体管, SOT-343, 4引脚, IC 7.5 mA NPN, VCEO 80 V, VCBO 7.5 V, 表面安装
- Infineon BFP720FH6327XTSA1 射频双极晶体管, TSFP-4-1, 4引脚, IC 25 mA NPN, VCEO 13 V, VCBO 13 V, 表面安装
- Infineon 射频双极晶体管, TSFP-4-1, 4引脚, IC 50 mA NPN, VCEO 10 V, VCBO 10 V, 表面安装