ROHM DTA113ZE3HZGTL, VCEO -50 V 套件 PnP, 表面安装 EMT3, 3引脚
- RS 库存编号:
- 267-2331
- 制造商零件编号:
- DTA113ZE3HZGTL
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB1.295 | RMB32.38 |
| 50 - 75 | RMB1.27 | RMB31.75 |
| 100 - 225 | RMB0.73 | RMB18.25 |
| 250 - 975 | RMB0.717 | RMB17.93 |
| 1000 + | RMB0.373 | RMB9.33 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 267-2331
- 制造商零件编号:
- DTA113ZE3HZGTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 套件 | |
| 包装类型 | EMT3 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | -50V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 共发射极 | |
| 晶体管极性 | PnP | |
| 最小直流电流增益 hFE | 33 | |
| 最大功耗 Pd | 150mW | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 系列 | DTA113 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 套件 | ||
包装类型 EMT3 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo -50V | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 共发射极 | ||
晶体管极性 PnP | ||
最小直流电流增益 hFE 33 | ||
最大功耗 Pd 150mW | ||
最高工作温度 150°C | ||
引脚数目 3 | ||
系列 DTA113 | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ROHM PNP 泄露吸收数字晶体管属于汽车数字晶体管。
内置偏置电阻,R1 = 1kΩ,R2 = 10kΩ
内置偏置电阻可配置逆变器电路,无需连接外部输入电阻
只需设置开/关条件即可操作,电路设计非常简单
