Toshiba PNP数字晶体管, ESM, IC -100 mA, VCEO -50 V, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 540-6481
- 制造商零件编号:
- RN2102(TE85L,F)
- 制造商:
- Toshiba
不可供应
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- RN2102(TE85L,F)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | -100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | -50 V | |
| 封装类型 | ESM | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最小直流电流增益 | 50 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大发射极-基极电压 | 10 V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 1.6 x 0.8 x 0.7mm | |
| 典型输入电阻器 | 10 kΩ | |
| 典型电阻比 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 -100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 -50 V | ||
封装类型 ESM | ||
安装类型 贴片 | ||
最小直流电流增益 50 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大发射极-基极电压 10 V | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 1.6 x 0.8 x 0.7mm | ||
典型输入电阻器 10 kΩ | ||
典型电阻比 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
具有内置电阻器的晶体管，BRT 系列，Toshiba
内置偏置电阻器，使用更少的元件使设备尺寸减少和获得节省空间的组件
宽电阻值范围使产品适用于不同的应用
对 RN1101 / RN2101 to RN1118 / RN2118 产品的补充
应用：开关、反相器电路、接口电路、驱动器电路
SSM 封装
宽电阻值范围使产品适用于不同的应用
对 RN1101 / RN2101 to RN1118 / RN2118 产品的补充
应用：开关、反相器电路、接口电路、驱动器电路
SSM 封装
数字晶体管，东芝
配备电阻器的双极晶体管，又称 "数字晶体管 "或 "偏置电阻晶体管"，集成了一个或两个电阻器。通过单个串联输入电阻或两个电阻的电位分压器，可直接从数字源驱动这些器件。提供单晶体管和双晶体管两种型号。