onsemi NSS40302PDR2G 晶体管, SOIC, 8引脚, IC 3 A NPN + PNP, VCEO 40 V, VCBO 40 V, 表面安装
- RS 库存编号:
- 805-4522
- 制造商零件编号:
- NSS40302PDR2G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 25 + | RMB7.837 | RMB195.93 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-4522
- 制造商零件编号:
- NSS40302PDR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 晶体管 | |
| 最大直流集电极电流 Idc | 3A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 40V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 40V | |
| 最大功耗 Pd | 783mW | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管极性 | NPN + PNP | |
| 最小直流电流增益 hFE | 180 | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 6V | |
| 最大转换频率 ft | 100MHz | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 系列 | e2PowerEdge | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 晶体管 | ||
最大直流集电极电流 Idc 3A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 40V | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 40V | ||
最大功耗 Pd 783mW | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管极性 NPN + PNP | ||
最小直流电流增益 hFE 180 | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 6V | ||
最大转换频率 ft 100MHz | ||
引脚数目 8 | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.75mm | ||
系列 e2PowerEdge | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4 mm | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
双 NPN/PNP 晶体管，On Semiconductor
每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备