Infineon NPN射频三极管, SOT-343, IC 25 mA, VCEO 13 V, VCBO 13 V, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 897-7282P
- 制造商零件编号:
- BFP720H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 897-7282P
- 制造商零件编号:
- BFP720H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 25 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 13 V | |
| 封装类型 | SOT-343 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 100 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 13 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 1.2 V | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 25 mA | ||
最大集电极-发射极电压 13 V | ||
封装类型 SOT-343 | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 100 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 13 V | ||
最大发射极-基极电压 1.2 V | ||
引脚数目 4 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm | ||
SiGe 射频双极晶体管,Infineon
来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。
双极晶体管,Infineon
