onsemi NST65010MW6T1G 晶体管, US, 6引脚, IC -100 mA PnP, VCEO -65 V, VCBO -80 V, 表面安装
- RS 库存编号:
- 920-9887
- 制造商零件编号:
- NST65010MW6T1G
- 制造商:
- onsemi
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 920-9887
- 制造商零件编号:
- NST65010MW6T1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 晶体管 | |
| 最大直流集电极电流 Idc | -100mA | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | -65V | |
| 包装类型 | US | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | -80V | |
| 最大功耗 Pd | 380mW | |
| 最大转换频率 ft | 100MHz | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | -5V | |
| 晶体管极性 | PnP | |
| 最小直流电流增益 hFE | 0.9 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 2.2 mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 晶体管 | ||
最大直流集电极电流 Idc -100mA | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo -65V | ||
包装类型 US | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 VCBO -80V | ||
最大功耗 Pd 380mW | ||
最大转换频率 ft 100MHz | ||
最大发射极-基极电压 VEBO -5V | ||
晶体管极性 PnP | ||
最小直流电流增益 hFE 0.9 | ||
引脚数目 6 | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 2.2 mm | ||
高度 1.1mm | ||
长度 2.2mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
双匹配双极晶体管，ON Semiconductor
NPN 或 PNP 双极晶体管对采用单一封装，用于基射极电压 (VBE) 和电流增益 (hFE)。