STMicroelectronics 双比较器芯片, DFN, 贴片安装, 双电源, 2通道
- RS 库存编号:
- 203-3496
- 制造商零件编号:
- TS883IQ2T
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 203-3496
- 制造商零件编号:
- TS883IQ2T
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 比较器类型 | 双 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | DFN | |
| 电源类型 | 双 | |
| 输出类型 | 漏极开路 | |
| 每片芯片通道数目 | 2 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 典型单电源电压 | 0.9 v 、 5.5 v | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
比较器类型 双 | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 DFN | ||
电源类型 双 | ||
输出类型 漏极开路 | ||
每片芯片通道数目 2 | ||
引脚数目 4 | ||
典型单电源电压 0.9 v 、 5.5 v | ||
STMicroelectronics TS883 、导轨对轨 0.9v nano 功率、漏极开路双比较器。它具有超低电源电流、每个操作员典型值为 250 na 、具有轨对轨输入功能和漏极开路输出。由于这些比较器的性能、可用于各种便携式应用。此系列比较器可在 -40 至 +125 °c 的宽温度范围内使用、可将电流消耗保持在超低水平。
传播延迟通常为 2 μs μ s
最大限度地减少蓄电池电源泄漏
延长电池使用寿命
esd 容差约为 8 kv hbm
最大限度地减少蓄电池电源泄漏
延长电池使用寿命
esd 容差约为 8 kv hbm