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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB2.463 | RMB6,157.50 |
| 5000 - 22500 | RMB2.414 | RMB6,035.00 |
| 25000 + | RMB2.365 | RMB5,912.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8849
- 制造商零件编号:
- MC14511BDR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 尺寸 | 10 x 4 x 1.5mm | |
| 最大工作电源电压 | 18 V | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最小工作电源电压 | 3 V | |
| 汽车标准 | AEC-Q100 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 SOIC | ||
引脚数目 16 | ||
尺寸 10 x 4 x 1.5mm | ||
最大工作电源电压 18 V | ||
最高工作温度 +125 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最小工作电源电压 3 V | ||
汽车标准 AEC-Q100 | ||
低逻辑电路功率消耗
高电流源输出（高达 25mA ）
锁存故障码
空白输入
提供灯泡测试
所有非法输入组合上的读数均为空白
灯强度调制功能
时间共享（多路复用）功能
电源电压范围 =3.0 V 至 18 V
能够驱动两个低功耗 TTL 负载、一个低功耗肖特基 TTL 负载或两个 HTL 负载（在额定温度范围内）
芯片复杂性： 216 FET 或 54 等效 Gates
所有输入上的三级二极管保护
这些器件以无铅封装提供。此处的规格适用于标准和无铅器件。
高电流源输出（高达 25mA ）
锁存故障码
空白输入
提供灯泡测试
所有非法输入组合上的读数均为空白
灯强度调制功能
时间共享（多路复用）功能
电源电压范围 =3.0 V 至 18 V
能够驱动两个低功耗 TTL 负载、一个低功耗肖特基 TTL 负载或两个 HTL 负载（在额定温度范围内）
芯片复杂性： 216 FET 或 54 等效 Gates
所有输入上的三级二极管保护
这些器件以无铅封装提供。此处的规格适用于标准和无铅器件。