Alliance Memory NOR闪存芯片, 128Mbit, 串行接口, WSON, 8针

Alliance Memory 128M 位接口闪存设备可在 2.7 至 3.6V 单电源下运行，电流消耗低至
0.深度掉电时为 2μA，程序代码会从闪存影射到嵌入式或外部 RAM 中执行。该设备具有灵活的擦除架构，其页面擦除粒度也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。设备中配置了 65,536 个可编程页面（每个页面 256 字节），每次最多可编程 256 字节。通过 16 个一组（4KB 扇区擦除）、128 个一组（32KB 块擦除）、256 个一组（64KB 块擦除）或整个芯片（芯片擦除）可以擦除页面。该设备分别有 4,096 个可擦除扇区和 256 个可擦除块。4KB 的小扇区为需要存储数据和参数的应用提供了更大的灵活性。

速度 166MHz
有效读取电流最大 4mA
最大编程电流 15mA
最大擦除电流 15mA
8L WSON封装 5x6mm