Microchip 分门闪存芯片, 4Mbit, 并行接口, PDIP, 32针, 4M x 8
- RS 库存编号:
- 352-119
- 制造商零件编号:
- SST39SF040-70-4C-PHE
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB39.01 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 352-119
- 制造商零件编号:
- SST39SF040-70-4C-PHE
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 内存大小 | 4Mbit | |
| 接口类型 | 并行 | |
| 封装类型 | PDIP | |
| 引脚数目 | 32 | |
| 组织 | 4M x 8 | |
| 单元类型 | 分门 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
内存大小 4Mbit | ||
接口类型 并行 | ||
封装类型 PDIP | ||
引脚数目 32 | ||
组织 4M x 8 | ||
单元类型 分门 | ||
Microchip CMOS 多用途闪存 (MPF) 采用 SST 专有的高性能 CMOS 超级闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅极电池设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39SF040 使用 4.5 至 5.5V 电源写入（编程或擦除），符合 JEDEC x8 存储器标准引脚布局。
卓越的可靠性，典型耐久性达 100000 次
数据保存超过 100 年
14 MHz 时功耗低
有效电流 10 mA（典型值
待机电流 30 μA 典型值
具有统一的 4 K 字节扇区擦除功能
快速读取访问时间 55 ns 和 70 ns
锁存地址和数据
通过内部 VPP 生成自动写入定时
数据保存超过 100 年
14 MHz 时功耗低
有效电流 10 mA（典型值
待机电流 30 μA 典型值
具有统一的 4 K 字节扇区擦除功能
快速读取访问时间 55 ns 和 70 ns
锁存地址和数据
通过内部 VPP 生成自动写入定时