Microchip 分门闪存芯片, 8Mbit, SPI接口, SOIC, 8针, 1.65 V→1.95 V, 8M x 1 位, SST26系列
- RS 库存编号:
- 145-9393
- 制造商零件编号:
- SST26WF080B-104I/SN
- 制造商:
- Microchip
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 145-9393
- 制造商零件编号:
- SST26WF080B-104I/SN
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 内存大小 | 8Mbit | |
| 接口类型 | SPI | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 组织 | 8M x 1 位 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 单元类型 | 分门 | |
| 最小工作电源电压 | 1.65 V | |
| 最大工作电源电压 | 1.95 V | |
| 块组织 | 对称 | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 高度 | 1.25mm | |
| 宽度 | 3.9mm | |
| 尺寸 | 4.9 x 3.9 x 1.25mm | |
| 系列 | SST26 | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | |
| 字组数目 | 1M | |
| 最长随机存取时间 | 3ns | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
内存大小 8Mbit | ||
接口类型 SPI | ||
封装类型 SOIC | ||
引脚数目 8 | ||
组织 8M x 1 位 | ||
安装类型 贴片 | ||
单元类型 分门 | ||
最小工作电源电压 1.65 V | ||
最大工作电源电压 1.95 V | ||
块组织 对称 | ||
长度 4.9mm | ||
高度 1.25mm | ||
宽度 3.9mm | ||
尺寸 4.9 x 3.9 x 1.25mm | ||
系列 SST26 | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
每字组的位元数目 8Bit | ||
字组数目 1M | ||
最长随机存取时间 3ns | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
SST26WF040B/080B/016B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 闪存
Microchip SST26WFxxxB 系列产品是串行四路输入/输出 (SQI) 闪存设备，提供 4、8 和 16 位型号。 这些设备支持与串行外围接口 (SPI) 协议的全命令集兼容型，并且实现最小延迟 Execute-in-Place (XIP) 功能，SRAM 上无需代码阴影。 SST26WFxxxB 设备具有低功耗，使其适用于便携式蓄电池供电的应用。
特点
工作电压范围 1.6 至 1.95V
最大时钟频率 104 MHz
串行接口体系结构
低功耗：有源读取电流：15 mA（104 MHz 时典型），待机电流：10 μA（典型）
脉冲串模式：连续线性脉冲串，8/16/32/64 字节线性脉冲串，带坏绕。
页面编程：每页 256 字节，采用 x1 或 x4 模式
快速擦除时间：扇形/块擦除 18 ms（典型）、25 ms（最大）；芯片擦除 35 ms（典型）、50 ms（最大）
灵活的擦除能力
End-of-Write 检测
Write-Suspend
软件保护
软件重置 (RST) 模式
SFDP（串行闪存可发现参数）
最大时钟频率 104 MHz
串行接口体系结构
低功耗：有源读取电流：15 mA（104 MHz 时典型），待机电流：10 μA（典型）
脉冲串模式：连续线性脉冲串，8/16/32/64 字节线性脉冲串，带坏绕。
页面编程：每页 256 字节，采用 x1 或 x4 模式
快速擦除时间：扇形/块擦除 18 ms（典型）、25 ms（最大）；芯片擦除 35 ms（典型）、50 ms（最大）
灵活的擦除能力
End-of-Write 检测
Write-Suspend
软件保护
软件重置 (RST) 模式
SFDP（串行闪存可发现参数）
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
闪存，Microchip