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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Microchip
	存储器大小	4Mbit
	接口类型	并行
	封装类型	TSOP
	引脚数目	32
	组织	512K x 8
	安装类型	贴片
	单元类型	分门
	最小工作电源电压	4.5 V
	最大工作电源电压	5.5 V
	块组织	对称
	长度	8.1mm
	高度	1.05mm
	宽度	12.5mm
	尺寸	12.5 x 8.1 x 1.05mm
	最高工作温度	+85 °C
	最长随机存取时间	70ns
	字组数目	512K
	系列	SST39
	每字组的位元数目	8Bit
	最低工作温度	-40 °C

	选择全部
	品牌 Microchip
	存储器大小 4Mbit
	接口类型并行
	封装类型 TSOP
	引脚数目 32
	组织 512K x 8
	安装类型贴片
	单元类型分门
	最小工作电源电压 4.5 V
	最大工作电源电压 5.5 V
	块组织对称
	长度 8.1mm
	高度 1.05mm
	宽度 12.5mm
	尺寸 12.5 x 8.1 x 1.05mm
	最高工作温度 +85 °C
	最长随机存取时间 70ns
	字组数目 512K
	系列 SST39
	每字组的位元数目 8Bit
	最低工作温度 -40 °C

Datasheet

COO (Country of Origin):: TW

SST39SF040 是 CMOS 多功能闪存 (MPF)，采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与替换方案相比，分离式栅极单元电池设计和厚氧化物隧道馈电器可以获得更高可靠性和可制造性。SST39SF040 使用 4.5-5.5V 电源写入（编程或擦除）。

单一 4.5-5.5V 读写操作
卓越可靠性 - 耐受性：100,000 次循环（典型） - 数据保留超过 100 年
低功耗（14 MHz 时的典型值）- 有源电流：10 mA（典型）- 待机电流：30 μA（典型）
扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区
快速读取访问时间 - 55 ns – 70 ns
锁存地址和数据
自动写入计时 - 内部 VPP 生成
写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询

Microchip 分门闪存芯片, 4Mbit, 并行接口, TSOP, 32针, 4.5 V→5.5 V, 512K x 8, SST39系列