Infineon NOR闪存芯片, 256Mbit, SPI接口, BGA, 24针, 2.7 V→3.6 V, 32M x 8 位, S25FL系列
- RS 库存编号:
- 184-0047
- 制造商零件编号:
- S25FL256LAGBHV020
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 托盘，共 338 件）*
¥7,924.748
(不含税)
¥8,954.972
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 338 - 1352 | RMB23.446 | RMB7,924.75 |
| 1690 + | RMB22.743 | RMB7,687.13 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 184-0047
- 制造商零件编号:
- S25FL256LAGBHV020
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 内存大小 | 256Mbit | |
| 接口类型 | SPI | |
| 封装类型 | BGA | |
| 引脚数目 | 24 | |
| 组织 | 32M x 8 位 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 单元类型 | NOR | |
| 最小工作电源电压 | 2.7 V | |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V | |
| 块组织 | 对称 | |
| 长度 | 6mm | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 宽度 | 8mm | |
| 尺寸 | 8 x 6 x 0.95mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q100 | |
| 最长随机存取时间 | 8ns | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | |
| 字组数目 | 32M | |
| 系列 | S25FL | |
| 最高工作温度 | +105 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
内存大小 256Mbit | ||
接口类型 SPI | ||
封装类型 BGA | ||
引脚数目 24 | ||
组织 32M x 8 位 | ||
安装类型 贴片 | ||
单元类型 NOR | ||
最小工作电源电压 2.7 V | ||
最大工作电源电压 3.6 V | ||
块组织 对称 | ||
长度 6mm | ||
高度 0.95mm | ||
宽度 8mm | ||
尺寸 8 x 6 x 0.95mm | ||
汽车标准 AEC-Q100 | ||
最长随机存取时间 8ns | ||
最低工作温度 -40°C | ||
每字组的位元数目 8Bit | ||
字组数目 32M | ||
系列 S25FL | ||
最高工作温度 +105 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- US
串行外设接口（ SPI ）、带多输入 / 输出
时钟极性和相位模式 0 和 3
双倍数据速率 (DDR) 选项
四个外围接口（ QPI ）选项
扩展寻址： 24 位或 32 位地址选项
串行命令子集和占用空间与 S25FL － A 、 S25FL1 － K 、 S25FL － P 、 S25FL － S 和 S25FS － S SPI 系列兼容
多 I/O 命令子集和占用空间与 S25FL － P 、 S25FL － S 和 S25FS － S SPI 系列兼容
阅读
命令：正常、快速、双 I/O 、四路 I/O 、 DualO 、 QuadO 、 DDR 四路 I/O
模式：脉冲环绕、连续 (XIP) 、 QPI
串行闪存可发现参数（ SFDP ）以了解配置信息。
计划架构
256 字节页面编程缓冲区
3.0 V FL-L 闪存
程序暂停和恢复
擦除体系结构
均匀 4 KB 扇区擦除
均匀 32 KB 半块擦除
统一 64 KB 块擦除
芯片擦除
擦除暂停和恢复
最少 100 、 000 个编程 / 擦除周期
20 年数据保留、最小值
安全特征
状态和配置寄存器保护
主区域外各有四个 256 字节的安全区域
闪存阵列
传统块保护：块范围
个人和区域保护
单块锁：易失性单个扇区 / 块
指针区域：非易失性扇区 / 块区域
安全区域 2 和 3 以及指针区域的电源锁定、密码或永久保护
技术
65 纳米浮动栅极技术
单电源电压、带 CMOS 输入 / 输出
2.7 V 至 3.6 V
封装（所有无铅）
8 引脚 SOIC 208 mil （ SOC008 ）—仅限 S25FL128L
WSON 5 x 6 mm （ WND008 ）—仅限 S25FL128L
WSON 6 x 8 mm （ WNG008 ）—仅限 S25FL256L
16 引脚 SOIC 300 mil （ SO3016 ）
BGA-24 6 x 8 毫米
5 x 5 滚珠（ FAB024 ）占地面积
4 x 6 滚珠（ FAC024 ）占地面积
时钟极性和相位模式 0 和 3
双倍数据速率 (DDR) 选项
四个外围接口（ QPI ）选项
扩展寻址： 24 位或 32 位地址选项
串行命令子集和占用空间与 S25FL － A 、 S25FL1 － K 、 S25FL － P 、 S25FL － S 和 S25FS － S SPI 系列兼容
多 I/O 命令子集和占用空间与 S25FL － P 、 S25FL － S 和 S25FS － S SPI 系列兼容
阅读
命令：正常、快速、双 I/O 、四路 I/O 、 DualO 、 QuadO 、 DDR 四路 I/O
模式：脉冲环绕、连续 (XIP) 、 QPI
串行闪存可发现参数（ SFDP ）以了解配置信息。
计划架构
256 字节页面编程缓冲区
3.0 V FL-L 闪存
程序暂停和恢复
擦除体系结构
均匀 4 KB 扇区擦除
均匀 32 KB 半块擦除
统一 64 KB 块擦除
芯片擦除
擦除暂停和恢复
最少 100 、 000 个编程 / 擦除周期
20 年数据保留、最小值
安全特征
状态和配置寄存器保护
主区域外各有四个 256 字节的安全区域
闪存阵列
传统块保护：块范围
个人和区域保护
单块锁：易失性单个扇区 / 块
指针区域：非易失性扇区 / 块区域
安全区域 2 和 3 以及指针区域的电源锁定、密码或永久保护
技术
65 纳米浮动栅极技术
单电源电压、带 CMOS 输入 / 输出
2.7 V 至 3.6 V
封装（所有无铅）
8 引脚 SOIC 208 mil （ SOC008 ）—仅限 S25FL128L
WSON 5 x 6 mm （ WND008 ）—仅限 S25FL128L
WSON 6 x 8 mm （ WNG008 ）—仅限 S25FL256L
16 引脚 SOIC 300 mil （ SO3016 ）
BGA-24 6 x 8 毫米
5 x 5 滚珠（ FAB024 ）占地面积
4 x 6 滚珠（ FAC024 ）占地面积