Infineon NOR闪存芯片, 256Mbit, SPI接口, BGA, 24针, 2.7 V→3.6 V, 32M x 8 位, S25FL系列

串行外设接口（ SPI ）、带多输入 / 输出
时钟极性和相位模式 0 和 3
双倍数据速率 (DDR) 选项
四个外围接口（ QPI ）选项
扩展寻址： 24 位或 32 位地址选项
串行命令子集和占用空间与 S25FL － A 、 S25FL1 － K 、 S25FL － P 、 S25FL － S 和 S25FS － S SPI 系列兼容
多 I/O 命令子集和占用空间与 S25FL － P 、 S25FL － S 和 S25FS － S SPI 系列兼容
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命令：正常、快速、双 I/O 、四路 I/O 、 DualO 、 QuadO 、 DDR 四路 I/O
模式：脉冲环绕、连续 (XIP) 、 QPI
串行闪存可发现参数（ SFDP ）以了解配置信息。
计划架构
256 字节页面编程缓冲区
3.0 V FL-L 闪存
程序暂停和恢复
擦除体系结构
均匀 4 KB 扇区擦除
均匀 32 KB 半块擦除
统一 64 KB 块擦除
芯片擦除
擦除暂停和恢复
最少 100 、 000 个编程 / 擦除周期
20 年数据保留、最小值
安全特征
状态和配置寄存器保护
主区域外各有四个 256 字节的安全区域
闪存阵列
传统块保护：块范围
个人和区域保护
单块锁：易失性单个扇区 / 块
指针区域：非易失性扇区 / 块区域
安全区域 2 和 3 以及指针区域的电源锁定、密码或永久保护
技术
65 纳米浮动栅极技术
单电源电压、带 CMOS 输入 / 输出
2.7 V 至 3.6 V
封装（所有无铅）
8 引脚 SOIC 208 mil （ SOC008 ）—仅限 S25FL128L
WSON 5 x 6 mm （ WND008 ）—仅限 S25FL128L
WSON 6 x 8 mm （ WNG008 ）—仅限 S25FL256L
16 引脚 SOIC 300 mil （ SO3016 ）
BGA-24 6 x 8 毫米
5 x 5 滚珠（ FAB024 ）占地面积
4 x 6 滚珠（ FAC024 ）占地面积