密度
S25FS128S － 128 MB （ 16 MB ）
S25FS256S － 256 MB （ 32 MB ）
串行外围接口（ SPI ）
SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3
双倍数据速率 (DDR) 选项
扩展寻址： 24 位或 32 位地址选项
串行命令子集和占用空间与 S25FL － A 、 S25FL － K 、 S25FL － P 和 S25FL － S SPI 系列兼容
多 I/O 命令子集和占用空间与 S25FL － P 和 S25FL － S SPI 系列兼容
阅读
命令：正常、快速、双 I/O 、四 I/O 、 DDR Quad
输入/输出
模式：脉冲环绕、连续 (XIP) 、 QPI
串行闪存可发现参数（ SFDP ）和通用闪存接口（ CFI ）、了解配置信息
程序
256 或 512 字节的页面编程缓冲器
程序暂停和恢复
自动生成 ECC 内部硬件错误纠正代码，并进行单位错误纠正
擦除
混合扇区选项
地址空间 TOP 或 Bottom 的物理集，包括 8 个 4 KB 扇区和 1 个 32 KB 扇区，其余的所有扇区均为 64 KB 或
地址空间 TOP 或 Bottom 的物理集，包括八个 4 KB 扇区和一个 224 KB 扇区，其余所有扇区均为 256 KB
统一扇区选项
软件的统一 64 KB 或 256 KB 块
与更高密度和未来设备的兼容性
擦除暂停和恢复
擦除状态评估
最少 100 、 000 个程序擦除周期
20 年数据保留、最小值
安全特征
1024 字节的一次性程序 (OTP) 阵列
块保护：
状态寄存器位，用于控制对的保护
对连续的扇区范围进行编程或擦除
硬件和软件控制选项
Advanced Sector Protection （ ASP
由引导代码或密码控制的单个扇区保护
读取访问的密码控制选项
技术
采用 Eclipse ™的 Cypress 65 纳米 MirrorBit? 技术
体系结构
电压
1.7V 至 2.0V
封装（所有无铅）
8 导联 SOIC 208 mil （ SOC008 ）—仅限 FS128S
WSON 6 x 5 mm （ WND008 ）—仅限 FS128S
WSON 6 x 8 mm （ WNH008 ）
16 引线 SOIC 300 mil （仅限 SO3016 - FS256S ）
BGA-24 6 x 8 毫米
5 x 5 滚珠（ FAB024 ）占地面积
4 x 6 滚珠（ FAC024 ）占地面积
已知良好的芯片和已知测试的芯片

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	内存大小	128Mbit
	接口类型	CFI, SPI
	封装类型	SOIC
	引脚数目	8
	组织	16M x 8 位
	安装类型	贴片
	单元类型	NOR
	最小工作电源电压	1.7 V
	最大工作电源电压	2 V
	尺寸	5.28 x 5.28 x 1.9mm
	每字组的位元数目	8Bit
	最低工作温度	-40°C
	字组数目	16M
	最高工作温度	+85°C

	选择全部
	品牌 Infineon
	内存大小 128Mbit
	接口类型 CFI, SPI
	封装类型 SOIC
	引脚数目 8
	组织 16M x 8 位
	安装类型贴片
	单元类型 NOR
	最小工作电源电压 1.7 V
	最大工作电源电压 2 V
	尺寸 5.28 x 5.28 x 1.9mm
	每字组的位元数目 8Bit
	最低工作温度 -40°C
	字组数目 16M
	最高工作温度 +85°C

Infineon NOR闪存芯片, 128Mbit, CFI, SPI接口, SOIC, 8针, 1.7 V→2 V, 16M x 8 位

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。