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选择全部	属性	值
	品牌	Winbond
	内存大小	1Gbit
	接口类型	并行
	封装类型	VFBGA
	引脚数目	63
	组织	128M x 8 位
	安装类型	贴片
	单元类型	SLC NAND
	最小工作电源电压	2.7V
	最大工作电源电压	3.6 V
	块组织	对称
	长度	11.1mm
	高度	0.6mm
	宽度	9.1mm
	尺寸	11.1 x 9.1 x 0.6mm
	每字组的位元数目	8Bit
	最长随机存取时间	25µs
	最低工作温度	-40°C
	字组数目	128M
	系列	W29N
	最高工作温度	+85°C

	选择全部
	品牌 Winbond
	内存大小 1Gbit
	接口类型并行
	封装类型 VFBGA
	引脚数目 63
	组织 128M x 8 位
	安装类型贴片
	单元类型 SLC NAND
	最小工作电源电压 2.7V
	最大工作电源电压 3.6 V
	块组织对称
	长度 11.1mm
	高度 0.6mm
	宽度 9.1mm
	尺寸 11.1 x 9.1 x 0.6mm
	每字组的位元数目 8Bit
	最长随机存取时间 25µs
	最低工作温度 -40°C
	字组数目 128M
	系列 W29N
	最高工作温度 +85°C

Datasheet W29N01HVBINF

密度：1Gbit（单芯片解决方案）
电压：2.7V 至 3.6V
总线宽度：x8
工作温度
工业：-40°C 至 85°C
单级电池 (SLC) 技术。
组织结构
密度：1G 位/128M 字节
页面大小
2 112 字节（2048 + 64 字节）
区块大小
64 页（128K + 4K 字节）
最高性能
读取性能（最高）
随机读取：25 秒
顺序读取周期：25ns
写入擦除性能
页面编程时间：250us（典型值）
块擦除时间：2 毫秒（典型值）
耐用性 100,000 次擦除/编程循环(1)
数据保存 10 年
命令集
标准 NAND 命令集
其他指挥支持
复制返回
低功耗
读取：25mA（典型值 3V）、
编程/擦除：25mA（典型值 3V）、
CMOS 待机：10uA（典型值）
节省空间的包装
48 引脚标准 TSOP1
48 球 VFBGA
63 球 VFBGA

1Gb SLC NAND 闪存，页面大小统一为 2KB+64B。

总线宽度：x8
随机阅读：25 秒
页面编程时间：250us（典型值）
块擦除时间：2 毫秒（典型值）

单位	每单位	Per Tray*
210 - 840	RMB22.012	RMB4,622.52
1050 +	RMB21.572	RMB4,530.12

Winbond SLC NAND闪存芯片, 1Gbit, 并行接口, VFBGA, 63针, 2.7V→3.6 V, 128M x 8 位, W29N系列

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。