Winbond SLC NAND闪存芯片, 2Gbit, 并行接口, VFBGA, 63针, 2.7V→3.6 V, 256M x 8 位, W29N系列
- RS 库存编号:
- 188-2556
- 制造商零件编号:
- W29N02GVBIAF
- 制造商:
- Winbond
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-2556
- 制造商零件编号:
- W29N02GVBIAF
- 制造商:
- Winbond
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Winbond | |
| 内存大小 | 2Gbit | |
| 接口类型 | 并行 | |
| 封装类型 | VFBGA | |
| 引脚数目 | 63 | |
| 组织 | 256M x 8 位 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 单元类型 | SLC NAND | |
| 最小工作电源电压 | 2.7V | |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V | |
| 块组织 | 对称 | |
| 长度 | 11.1mm | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 宽度 | 9.1mm | |
| 尺寸 | 11.1 x 9.1 x 0.6mm | |
| 最长随机存取时间 | 25µs | |
| 字组数目 | 256M | |
| 系列 | W29N | |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | +85°C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Winbond | ||
内存大小 2Gbit | ||
接口类型 并行 | ||
封装类型 VFBGA | ||
引脚数目 63 | ||
组织 256M x 8 位 | ||
安装类型 贴片 | ||
单元类型 SLC NAND | ||
最小工作电源电压 2.7V | ||
最大工作电源电压 3.6 V | ||
块组织 对称 | ||
长度 11.1mm | ||
高度 0.6mm | ||
宽度 9.1mm | ||
尺寸 11.1 x 9.1 x 0.6mm | ||
最长随机存取时间 25µs | ||
字组数目 256M | ||
系列 W29N | ||
每字组的位元数目 8Bit | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 +85°C | ||
密度:2Gbit(单芯片解决方案)
电压:2.7V 至 3.6V
总线宽度:x8
工作温度
工业:-40°C 至 85°C
单级电池 (SLC) 技术。
组织结构
密度:2G 位/256M 字节
页面大小
2 112 字节(2048 + 64 字节)
区块大小
64 页(128K + 4K 字节)
最高性能
读取性能(最高)
随机读取:25 秒
连续读取周期:25ns
写入擦除性能
页面编程时间:250us(典型值)
块擦除时间:2 毫秒(典型值)
耐用性 100,000 次擦除/编程循环(2)
数据保存 10 年
命令集
标准 NAND 命令集
其他指挥支持
顺序缓存读取
随机缓存读取
缓存计划
复制返回
双平面运行
联系 Winbond 以获取 OTP 功能
请联系 Winbond 了解块锁功能
低功耗
读取:25mA(典型值 3V)
编程/擦除:25mA(典型值 3V)
CMOS 待机:10uA(典型值)
节省空间的包装
48 引脚标准 TSOP1
63 球 VFBGA
电压:2.7V 至 3.6V
总线宽度:x8
工作温度
工业:-40°C 至 85°C
单级电池 (SLC) 技术。
组织结构
密度:2G 位/256M 字节
页面大小
2 112 字节(2048 + 64 字节)
区块大小
64 页(128K + 4K 字节)
最高性能
读取性能(最高)
随机读取:25 秒
连续读取周期:25ns
写入擦除性能
页面编程时间:250us(典型值)
块擦除时间:2 毫秒(典型值)
耐用性 100,000 次擦除/编程循环(2)
数据保存 10 年
命令集
标准 NAND 命令集
其他指挥支持
顺序缓存读取
随机缓存读取
缓存计划
复制返回
双平面运行
联系 Winbond 以获取 OTP 功能
请联系 Winbond 了解块锁功能
低功耗
读取:25mA(典型值 3V)
编程/擦除:25mA(典型值 3V)
CMOS 待机:10uA(典型值)
节省空间的包装
48 引脚标准 TSOP1
63 球 VFBGA
2Gb SLC NAND 闪存,页面大小统一为 2KB+64B。
总线宽度:x8
随机阅读:25 秒
页面编程时间:250us(典型值)
块擦除时间:2 毫秒(典型值)
支持 OTP 内存区
随机阅读:25 秒
页面编程时间:250us(典型值)
块擦除时间:2 毫秒(典型值)
支持 OTP 内存区
