Winbond SLC NAND闪存芯片, 2Gbit, 并行接口, VFBGA, 63针, 1.7 V→1.95 V, 256M x 8 位, W29N系列

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包装方式：
RS 库存编号:
188-2874P
制造商零件编号:
W29N02GZBIBA
制造商:
Winbond
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品牌

Winbond

内存大小

2Gbit

接口类型

并行

封装类型

VFBGA

引脚数目

63

组织

256M x 8 位

安装类型

贴片

单元类型

SLC NAND

最小工作电源电压

1.7 V

最大工作电源电压

1.95 V

长度

11.1mm

高度

0.6mm

宽度

9.1mm

尺寸

11.1 x 9.1 x 0.6mm

最低工作温度

-40°C

字组数目

256M

系列

W29N

最高工作温度

+85°C

最长随机存取时间

25µs

每字组的位元数目

8Bit

COO (Country of Origin):
TW
密度：2Gbit（单芯片解决方案）
Vcc ：1.7V 至 1.95V
总线宽度：x8 x16
工作温度
工业：-40°C 至 85°C
工业 Plus：-40°C 至 105°C
单级电池 (SLC) 技术。
组织结构
密度：2G 位/256M 字节
页面大小
2 112 字节（2048 + 64 字节）
1 056 个单词（1024 + 32 个单词）
区块大小
64 页（128K + 4K 字节）
64 页（64K + 2K 字数）
最高性能
读取性能（最高）
随机读取：25 秒
连续读取周期：25ns
写入擦除性能
页面编程时间：250us（典型值）
块擦除时间：2 毫秒（典型值）
耐用性 100,000 次擦除/编程循环(1)
数据保存 10 年
命令集
标准 NAND 命令
其他指挥支持
复制返回
双平面运行
联系 Winbond 以获取 OTP f
联系 Winbond Block
低功耗
读取：13mA（典型值）
编程/擦除：10mA（典型值）
CMOS 待机：10uA（典型值）
节省空间的包装
48 引脚标准 TSOP1
63 球 VFBGA

2Gb SLC NAND 闪存，页面大小统一为 2KB+64B。

总线宽度：x8
随机阅读：25 秒
页面编程时间：250us（典型值）
块擦除时间：2 毫秒（典型值）
支持 OTP 内存区

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。