Winbond SLC NAND闪存芯片, 4Gbit, 并行接口, VFBGA, 63针, 2.7V→3.6 V, 512M x 8 位, W29N系列

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包装方式：
RS 库存编号:
188-2878
制造商零件编号:
W29N04GVBIAF
制造商:
Winbond
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品牌

Winbond

内存大小

4Gbit

接口类型

并行

封装类型

VFBGA

引脚数目

63

组织

512M x 8 位

安装类型

贴片

单元类型

SLC NAND

最小工作电源电压

2.7V

最大工作电源电压

3.6 V

长度

11.1mm

高度

0.6mm

宽度

9.1mm

尺寸

11.1 x 9.1 x 0.6mm

最低工作温度

-40°C

最长随机存取时间

25µs

最高工作温度

+85°C

字组数目

512M

每字组的位元数目

8Bit

系列

W29N

密度：4Gbit（单芯片解决方案）
电压：2.7V 至 3.6V
总线宽度：x8
工作温度
工业：-40°C 至 85°C
单级电池 (SLC) 技术。
组织结构
密度4G 位/512M 字节
页面大小
2 112 字节（2048 + 64 字节）
区块大小
64 页（128K + 4K 字节）
最高性能
读取性能（最高）
随机读取：25 秒
连续读取周期：25ns
写入擦除性能
页面编程时间：250us（典型值）
块擦除时间：2 毫秒（典型值）
耐用性 100,000 次擦除/编程循环(1)
数据保存 10 年
命令集
标准 NAND 命令集
其他指挥支持
顺序缓存读取
随机缓存读取
缓存计划
复制返回
双平面运行
联系 Winbond 以获取 OTP 功能
联系 Winbond 了解块锁功能
低功耗
读取：25mA（典型值）
编程/擦除：25mA（典型值）
CMOS 待机：10uA（典型值）
节省空间的包装
48 引脚标准 TSOP1
63 球 VFBGA

4Gb SLC NAND 闪存，页面大小统一为 2KB+64B。

总线宽度：x8
随机阅读：25 秒
页面编程时间：250us（典型值）
块擦除时间：2 毫秒（典型值）
支持 OTP 内存区

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。