Winbond SLC NAND闪存芯片, 4Gbit, 并行接口, VFBGA, 63针, 2.7V→3.6 V, 512M x 8 位, W29N系列

密度：4Gbit（单芯片解决方案）
电压：2.7V 至 3.6V
总线宽度：x8
工作温度
工业：-40°C 至 85°C
单级电池 (SLC) 技术。
组织结构
密度4G 位/512M 字节
页面大小
2 112 字节（2048 + 64 字节）
区块大小
64 页（128K + 4K 字节）
最高性能
读取性能（最高）
随机读取：25 秒
连续读取周期：25ns
写入擦除性能
页面编程时间：250us（典型值）
块擦除时间：2 毫秒（典型值）
耐用性 100,000 次擦除/编程循环(1)
数据保存 10 年
命令集
标准 NAND 命令集
其他指挥支持
顺序缓存读取
随机缓存读取
缓存计划
复制返回
双平面运行
联系 Winbond 以获取 OTP 功能
联系 Winbond 了解块锁功能
低功耗
读取：25mA（典型值）
编程/擦除：25mA（典型值）
CMOS 待机：10uA（典型值）
节省空间的包装
48 引脚标准 TSOP1
63 球 VFBGA

4Gb SLC NAND 闪存，页面大小统一为 2KB+64B。

总线宽度：x8
随机阅读：25 秒
页面编程时间：250us（典型值）
块擦除时间：2 毫秒（典型值）
支持 OTP 内存区