Microchip 2Mbit 闪存芯片, SPI接口, SOIC-8
- RS 库存编号:
- 264-8829P
- 制造商零件编号:
- SST25VF020B-80-4I-SAE-T
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB7.107 |
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| 250 - 990 | RMB6.902 |
| 1000 + | RMB6.869 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-8829P
- 制造商零件编号:
- SST25VF020B-80-4I-SAE-T
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 内存大小 | 2Mbit | |
| 接口类型 | SPI | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
内存大小 2Mbit | ||
接口类型 SPI | ||
封装类型 SOIC | ||
引脚数目 8 | ||
Microchip 串行闪存具有四线、SPI 兼容接口,可实现低引脚数量封装,占用较少的板空间,最终降低总体系统成本。此存储器通过改进工作频率和更低的功耗而增强。此 SPI 串行闪存采用 SST 专利、高性能 CMOS 超闪存技术制造。与替代方法相比,分门电池设计和厚氧隧道注射器实现了更好的可靠性和制造性。SST25VF020B 设备显著提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。
串行接口架构 – SPI 兼容:模式 0 和模式 3
卓越的可靠性 - 耐受性:100,000 次循环(典型值)- 数据保持超过 100 年
低功耗:– 有源读取电流:10 mA(典型值)– 待机电流:5 μA(典型值)
所有无铅(无铅)设备均符合 RoHS 标准
-40°C 至 +85°C 工业温度范围
卓越的可靠性 - 耐受性:100,000 次循环(典型值)- 数据保持超过 100 年
低功耗:– 有源读取电流:10 mA(典型值)– 待机电流:5 μA(典型值)
所有无铅(无铅)设备均符合 RoHS 标准
-40°C 至 +85°C 工业温度范围