微芯片串行闪存改进了工作频率,降低了功耗。SST25VF080B SPI 串行闪存采用 SST 的专利、高性能 CMOS 超闪存技术制造。与替代方法相比,分门电池设计和厚氧隧道注射器实现了更好的可靠性和制造性。此设备显著提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。

单电压读取和写入操作 – 2.7-3.6V
支持 50 MHz SPI 时钟
耐用性:100000 次循环(典型)
数据保留时间超过 100 年
编程和擦除电流:30mA(最大)
有源读取电流:10 mA(典型值)
待机电流:5 μA(典型值)
统一 32 K 字节和 64 K 字节重叠块
芯片擦除时间:35 ms(典型)
所有设备均符合 RoHS 标准

单位	每单位
50 - 95	RMB9.382
100 - 245	RMB9.194
250 - 995	RMB9.01
1000 +	RMB8.83

选择全部	属性	值
	品牌	Microchip
	内存大小	8Mbit
	接口类型	SPI
	封装类型	SOIC
	引脚数目	8

	选择全部
	品牌 Microchip
	内存大小 8Mbit
	接口类型 SPI
	封装类型 SOIC
	引脚数目 8

Microchip 8Mbit 闪存芯片, SPI接口, SOIJ-8

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。