Microchip 分门闪存芯片, 16Mbit, 四路 SPI接口, WDFN, 8针, 2.7 V→3.6 V, 2M x 8 位, SST26系列
- RS 库存编号:
- 841-7507
- 制造商零件编号:
- SST26VF016B-104I/MF
- 制造商:
- Microchip
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- RS 库存编号:
- 841-7507
- 制造商零件编号:
- SST26VF016B-104I/MF
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 内存大小 | 16Mbit | |
| 接口类型 | 四路 SPI | |
| 封装类型 | WDFN | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 组织 | 2M x 8 位 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 单元类型 | 分门 | |
| 最小工作电源电压 | 2.7 V | |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V | |
| 块组织 | 对称 | |
| 长度 | 6mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 尺寸 | 6 x 5 x 0.8mm | |
| 最长随机存取时间 | 8ns | |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 汽车标准 | AEC-Q100 | |
| 字组数目 | 2MB | |
| 系列 | SST26 | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
内存大小 16Mbit | ||
接口类型 四路 SPI | ||
封装类型 WDFN | ||
引脚数目 8 | ||
组织 2M x 8 位 | ||
安装类型 贴片 | ||
单元类型 分门 | ||
最小工作电源电压 2.7 V | ||
最大工作电源电压 3.6 V | ||
块组织 对称 | ||
长度 6mm | ||
高度 0.8mm | ||
宽度 5mm | ||
尺寸 6 x 5 x 0.8mm | ||
最长随机存取时间 8ns | ||
每字组的位元数目 8Bit | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
汽车标准 AEC-Q100 | ||
字组数目 2MB | ||
系列 SST26 | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 存储器
Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ (SQI™) SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。
通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。
通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。
特点
串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构
x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议
高速时钟频率 - 最大 104 MHz
脉冲串模式
低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型）
快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型）
灵活的擦除能力
软件写入保护
x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议
高速时钟频率 - 最大 104 MHz
脉冲串模式
低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型）
快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型）
灵活的擦除能力
软件写入保护
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
闪存，Microchip