Infineon 256Kbit FRAM, 8p, 串行 - I2C接口, 最长随机存取450ns, SOIC封装, 32K x 8 位

铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM，用于串行和并行接口。 后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计，并通过了 AEC-Q100 认证。

非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗

256-Kbit FerroElectric 随机存取存储器（ F-RAM 逻辑组织为 32K x 8 ）
高耐久性 100 万亿（ 1014 ）读 / 写
151 年数据保留（请参阅数据保留时间表）
NoDelay ™写入
Advanced High － Reliability FerroElectric
快速双线串行接口 (I2C)
频率高达 3.4-MHz [1]
串行 EEPROM 的直接硬件更换
支持 100kHz 和 400kHz 的传统计时
设备 ID
制造商 ID 和产品 ID
低功耗
100 kHz 时为 175 μ A 有源电流
150 μ A 待机电流
8 μ A 睡眠模式电流
低电压操作： VDD = 2.0 V 至 3.6 V
工业温度： -40 ° C 至 +85 ° C
8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装

FRAM（铁电 RAM）

FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。