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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	内存大小	256Kbit
	组织	32K x 8 位
	接口类型	串行 - I2C
	数据总线宽度	8Bit
	最长随机存取时间	450ns
	安装类型	贴片
	封装类型	SOIC
	引脚数目	8
	尺寸	4.97 x 3.98 x 1.47mm
	长度	4.97mm
	最大工作电源电压	3.6 V
	宽度	3.98mm
	高度	1.47mm
	最高工作温度	+85 °C
	每字组的位元数目	8Bit
	最低工作温度	-40 °C
	最小工作电源电压	2 V
	字组数目	32K

	选择全部
	品牌 Infineon
	内存大小 256Kbit
	组织 32K x 8 位
	接口类型串行 - I2C
	数据总线宽度 8Bit
	最长随机存取时间 450ns
	安装类型贴片
	封装类型 SOIC
	引脚数目 8
	尺寸 4.97 x 3.98 x 1.47mm
	长度 4.97mm
	最大工作电源电压 3.6 V
	宽度 3.98mm
	高度 1.47mm
	最高工作温度 +85 °C
	每字组的位元数目 8Bit
	最低工作温度 -40 °C
	最小工作电源电压 2 V
	字组数目 32K

FM24V02A-G Datasheet

COO (Country of Origin):: US

FRAM，Cypress Semiconductor

铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM，用于串行和并行接口。后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计，并通过了 AEC-Q100 认证。

非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗

256-Kbit FerroElectric 随机存取存储器（ F-RAM 逻辑组织为 32K x 8 ）
高耐久性 100 万亿（ 1014 ）读 / 写
151 年数据保留（请参阅数据保留时间表）
NoDelay ™写入
Advanced High － Reliability FerroElectric
快速双线串行接口 (I2C)
频率高达 3.4-MHz [1]
串行 EEPROM 的直接硬件更换
支持 100kHz 和 400kHz 的传统计时
设备 ID
制造商 ID 和产品 ID
低功耗
100 kHz 时为 175 μ A 有源电流
150 μ A 待机电流
8 μ A 睡眠模式电流
低电压操作： VDD = 2.0 V 至 3.6 V
工业温度： -40 ° C 至 +85 ° C
8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

FRAM（铁电 RAM）

FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

单位	每单位
24 - 46	RMB35.065
48 +	RMB34.36

Infineon 256Kbit FRAM, 8p, 串行 - I2C接口, 最长随机存取450ns, SOIC封装, 32K x 8 位

FRAM，Cypress Semiconductor

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。