这种 FRAM 存储器专为高速数据存储解决方案而设计，内存容量为 1 Mbit，组织形式为 128K x 8 位。它采用表面贴装技术，便于集成到各种电子系统中。其尺寸为 4.97mm x 3.98mm x 1.47mm，结构紧凑，为空间敏感型应用提供了多功能性。

• 无延迟的快速写入操作提高了效率
• 支持高达 40MHz 的 SPI 接口，可进行高速存储器访问
• 符合 AEC-Q100 标准，确保提供可靠的汽车内存解决方案
• 先进的写保护功能可防止意外修改数据

• 集成到汽车控制系统中，用于数据记录
• 用于工业自动化领域的快速数据采集
• 适用于需要非易失性存储的医疗设备
• 应用于消费电子产品，提高性能
• 用于物联网设备，实现可靠的内存保存

以总线速度执行快速写入操作的能力可确保在工业环境中快速捕获数据，降低在时间敏感的情况下丢失数据的风险。其强大的 100 万亿次写入耐久性进一步支持频繁的数据记录。

它的运行效率很高，激活时的功耗仅为 300μA，睡眠模式下的功耗低至 5μA。这种低功耗要求使其非常适合电池供电设备或对能效要求较高的应用。

复杂的写保护机制包括硬件和软件控制，可防止意外写入，确保关键数据安全，避免意外更改，这对关键任务系统至关重要。

FRAM（铁电 RAM）

FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

单位	每单位
25 - 124	RMB85.59
125 +	RMB83.87

Infineon 1Mbit FRAM, 8p, SPI接口, 最长随机存取18ns, SOIC封装, 128K x 8 位