Infineon 4 kB FRAM, 8引脚, 串行 I2C（2 线）接口, 最长随机存取3000 ns, SOIC封装, 512 x 8 位

RS 库存编号:: 125-4207P
制造商零件编号:: FM24C04B-G
制造商:: Infineon

Infineon 4 kB FRAM, 8引脚, 串行 I2C（2 线）接口, 最长随机存取3000 ns, SOIC封装, 512 x 8 位

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RS 库存编号:: 125-4207P
制造商零件编号:: FM24C04B-G
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	存储器大小	4kB
	产品类型	FRAM
	组织	512 x 8 位
	接口类型	串行 I2C（2 线）
	数据总线宽度	8Bit
	最长随机存取时间	3000ns
	安装类型	表面
	包装类型	SOIC
	引脚数目	8
	长度	4.97mm
	高度	1.48mm
	宽度	3.98mm
	最高工作温度	85°C
	汽车标准	AEC-Q100
	字组数目	512
	每字组的位元数目	8
	最低工作温度	-40°C

	选择全部
	品牌 Infineon
	存储器大小 4kB
	产品类型 FRAM
	组织 512 x 8 位
	接口类型串行 I2C（2 线）
	数据总线宽度 8Bit
	最长随机存取时间 3000ns
	安装类型表面
	包装类型 SOIC
	引脚数目 8
	长度 4.97mm
	高度 1.48mm
	宽度 3.98mm
	最高工作温度 85°C
	汽车标准 AEC-Q100
	字组数目 512
	每字组的位元数目 8
	最低工作温度 -40°C

FM24C04B-G Datasheet

FRAM，Cypress Semiconductor

铁电随机存取存储器 (F-RAM) 能效高，且在串行与并行接口的非易失性 RAM 中具有最高的可靠性。带 A 后缀的器件专为汽车应用设计，符合 AEC-Q100 认证标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快速写入速度

高耐久性

低功耗

FRAM（铁电 RAM）

铁电随机存取存储器 (FRAM) 是一种非易失性存储器，它利用铁电薄膜作为电容器来存储数据。F-RAM 兼具 ROM 与 RAM 特性，具备高速存取、写入模式下的高耐久性、低功耗、非易失性以及卓越的抗篡改能力。因此，它是需要高安全性和低功耗的智能卡，以及手机和其他设备的理想存储器。

Infineon 4 kB FRAM, 8引脚, 串行 I2C（2 线）接口, 最长随机存取3000 ns, SOIC封装, 512 x 8 位

FRAM，Cypress Semiconductor

FRAM（铁电 RAM）

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