FRAM，Cypress Semiconductor

铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM，用于串行和并行接口。后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计，并通过了 AEC-Q100 认证。

非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗

16Kbit FerroElectric 随机存取存储器 (F-RAM) 按 2K x 8 逻辑组织
高耐久性 100 万亿（ 1014 ）读 / 写
151 年数据保留
NoDelay ™写入
Advanced High － Reliability FerroElectric
快速 2 线串行接口 (I2C)
频率高达 1 MHz
串行 (I2C) EEPROM 的直接硬件更换
支持 100kHz 和 400kHz 的传统计时
低功耗
100 μ A 有源电流， 100kHz
3 μ A （典型值）待机电流
电压操作： VDD = 2.7V 至 3.65V
工业温度： -40 ° C 至 +85 ° C
软件包
8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装
8 引脚双扁平无引线 (DFN) 封装

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

FRAM（铁电 RAM）

FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

单位	每单位
20 - 35	RMB14.58
40 +	RMB14.288

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	内存大小	16Kbit
	组织	2K x 8 位
	接口类型	串行2线、串行I2C
	数据总线宽度	8Bit
	最长随机存取时间	3000ns
	安装类型	贴片
	封装类型	DFN
	引脚数目	8
	尺寸	4 x 4.5 x 0.7mm
	长度	4.5mm
	宽度	4mm
	最大工作电源电压	3.65 V
	高度	0.7mm
	最高工作温度	+85 °C
	最小工作电源电压	2.7 V
	汽车标准	AEC-Q100
	字组数目	2K
	最低工作温度	-40 °C
	每字组的位元数目	8Bit

	选择全部
	品牌 Infineon
	内存大小 16Kbit
	组织 2K x 8 位
	接口类型串行2线、串行I2C
	数据总线宽度 8Bit
	最长随机存取时间 3000ns
	安装类型贴片
	封装类型 DFN
	引脚数目 8
	尺寸 4 x 4.5 x 0.7mm
	长度 4.5mm
	宽度 4mm
	最大工作电源电压 3.65 V
	高度 0.7mm
	最高工作温度 +85 °C
	最小工作电源电压 2.7 V
	汽车标准 AEC-Q100
	字组数目 2K
	最低工作温度 -40 °C
	每字组的位元数目 8Bit

Infineon 16Kbit FRAM, 8p, 串行2线、串行I2C接口, 最长随机存取3000ns, DFN封装, 2K x 8 位

FRAM，Cypress Semiconductor

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。