Infineon 256Kbit FRAM, 8p, 串行2线、串行I2C接口, 最长随机存取3000ns, SOIC封装, 32K x 8 位
- RS 库存编号:
- 125-4217
- 制造商零件编号:
- FM24W256-G
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥36.90
(不含税)
¥41.70
(含税)
有库存
- 另外 48 件在 2025年12月08日 发货
- 另外 970 件在 2026年2月19日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB36.90 |
| 25 - 124 | RMB36.16 |
| 125 + | RMB35.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 125-4217
- 制造商零件编号:
- FM24W256-G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 内存大小 | 256Kbit | |
| 组织 | 32K x 8 位 | |
| 接口类型 | 串行2线、串行I2C | |
| 数据总线宽度 | 8Bit | |
| 最长随机存取时间 | 3000ns | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 尺寸 | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| 长度 | 4.97mm | |
| 宽度 | 3.98mm | |
| 最大工作电源电压 | 5.5 V | |
| 高度 | 1.48mm | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 字组数目 | 32K | |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | |
| 最小工作电源电压 | 2.7 V | |
| 汽车标准 | AEC-Q100 | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
内存大小 256Kbit | ||
组织 32K x 8 位 | ||
接口类型 串行2线、串行I2C | ||
数据总线宽度 8Bit | ||
最长随机存取时间 3000ns | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 SOIC | ||
引脚数目 8 | ||
尺寸 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
长度 4.97mm | ||
宽度 3.98mm | ||
最大工作电源电压 5.5 V | ||
高度 1.48mm | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
字组数目 32K | ||
每字组的位元数目 8Bit | ||
最小工作电源电压 2.7 V | ||
汽车标准 AEC-Q100 | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
FRAM，Cypress Semiconductor
铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM，用于串行和并行接口。 后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计，并通过了 AEC-Q100 认证。
非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗
写入速度快
高耐受性
低功耗
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
FRAM（铁电 RAM）
FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。