Infineon 64 kB FRAM, 8引脚, SPI接口, 最长随机存取20 ns, DFN封装, FM25CL64B-DG, 8K x 8 bit

可享批量折扣

小计(1 包,共 2 件)*

¥33.25

(不含税)

¥37.572

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 658 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
2 - 18RMB16.625RMB33.25
20 - 38RMB16.26RMB32.52
40 +RMB15.935RMB31.87

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
125-4221
制造商零件编号:
FM25CL64B-DG
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

FRAM

存储器大小

64kB

组织

8K x 8 bit

接口类型

SPI

数据总线宽度

8bit

最长随机存取时间

20ns

安装类型

表面

最高时钟频率

20MHz

包装类型

DFN

引脚数目

8

宽度

4 mm

高度

0.75mm

标准/认证

No

长度

4.5mm

最高工作温度

85°C

最大电源电压

3.65V

最低电源电压

2.7V

每字组的位元数目

8

汽车标准

最低工作温度

-40°C

字组数目

8K

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


FRAM,Cypress Semiconductor


铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM,用于串行和并行接口。 后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计,并通过了 AEC-Q100 认证。

非易失性铁电 RAM 存储器

写入速度快

高耐受性

低功耗

FRAM(铁电 RAM)


FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。