Infineon 64 kB FRAM, 8引脚, SPI接口, 最长随机存取20 ns, DFN封装, FM25CL64B-DG, 8K x 8 bit
- RS 库存编号:
- 125-4221P
- 制造商零件编号:
- FM25CL64B-DG
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 20 件 (按管提供)*
¥325.20
(不含税)
¥367.40
(含税)
有库存
- 658 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 38 | RMB16.26 |
| 40 + | RMB15.935 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 125-4221P
- 制造商零件编号:
- FM25CL64B-DG
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | FRAM | |
| 存储器大小 | 64kB | |
| 组织 | 8K x 8 bit | |
| 接口类型 | SPI | |
| 数据总线宽度 | 8bit | |
| 最长随机存取时间 | 20ns | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最高时钟频率 | 20MHz | |
| 包装类型 | DFN | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 长度 | 4.5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 最高工作温度 | 85°C | |
| 字组数目 | 8K | |
| 最低电源电压 | 2.7V | |
| 最大电源电压 | 3.65V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 每字组的位元数目 | 8 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 FRAM | ||
存储器大小 64kB | ||
组织 8K x 8 bit | ||
接口类型 SPI | ||
数据总线宽度 8bit | ||
最长随机存取时间 20ns | ||
安装类型 表面 | ||
最高时钟频率 20MHz | ||
包装类型 DFN | ||
引脚数目 8 | ||
长度 4.5mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.75mm | ||
宽度 4 mm | ||
最高工作温度 85°C | ||
字组数目 8K | ||
最低电源电压 2.7V | ||
最大电源电压 3.65V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
每字组的位元数目 8 | ||
汽车标准 否 | ||
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
FRAM，Cypress Semiconductor
铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM，用于串行和并行接口。 后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计，并通过了 AEC-Q100 认证。
非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗
FRAM（铁电 RAM）
FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。