Infineon 256Kbit FRAM, 28p, 并行接口, 最长随机存取70ns, SOIC封装, 32K x 8 位

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包装方式:
RS 库存编号:
125-4229P
制造商零件编号:
FM28V020-SG
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

内存大小

256Kbit

组织

32K x 8 位

接口类型

并行

数据总线宽度

8Bit

最长随机存取时间

70ns

安装类型

贴片

封装类型

SOIC

引脚数目

28

尺寸

18.11 x 7.62 x 2.37mm

长度

18.11mm

最大工作电源电压

3.6 V

宽度

7.62mm

高度

2.37mm

最高工作温度

+85 °C

每字组的位元数目

8Bit

字组数目

32K

最低工作温度

-40 °C

汽车标准

AEC-Q100

最小工作电源电压

2 V

FRAM,Cypress Semiconductor


铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM,用于串行和并行接口。 后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计,并通过了 AEC-Q100 认证。

非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。



FRAM(铁电 RAM)


FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。