Infineon 4 MB FRAM, 8引脚, SPI接口, 最长随机存取16 ns, DFN封装, CY15B104Q-LHXI, 512kB x 8 Bit

Bulk discount available

Subtotal (1 unit)*

¥195.37

(exc. VAT)

¥220.77

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
有库存
  • 249 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
Units
Per unit
1 - 18RMB195.37
19 - 36RMB191.08
37 +RMB189.56

*price indicative

Packaging Options:
RS Stock No.:
181-1574
Mfr. Part No.:
CY15B104Q-LHXI
Brand:
Infineon
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

品牌

Infineon

产品类型

FRAM

存储器大小

4MB

组织

512kB x 8 Bit

接口类型

SPI

数据总线宽度

8bit

最长随机存取时间

16ns

安装类型

表面

最高时钟频率

40MHz

包装类型

DFN

引脚数目

8

长度

5mm

高度

0.75mm

宽度

6 mm

标准/认证

No

最高工作温度

85°C

每字组的位元数目

8

最大电源电压

3.6V

汽车标准

最低电源电压

2V

字组数目

512K

最低工作温度

-40°C

逻辑上具有 4-Mbit 铁电随机存取存储器( F-RAM )

组织为 512 K x 8

高耐用性 100 万亿( 1014 )读 / 写

151 年数据保留

NoDelay ™写入

Advanced High-Reliability 铁电

超快串行外围接口 (SPI)

频率高达 40 MHz

串行闪存和 EEPROM 的直接硬件更换

支持 SPI 模式 0 ( 0 、 0 )和模式 3 ( 1 、 1 )

复杂的写保护方案

使用写保护( WP )引脚进行硬件保护

使用写禁用指令进行软件保护

软件块保护,适用于 1/4 、 1/2 或整个阵列

设备 ID

制造商 ID 和产品 ID

低功耗

1 MHz 时为 300 A 活动电流

A μ A (典型值)待机电流

3 A (典型值)睡眠模式电流

低压操作: VDD = 2.0 V 至 3.6 V

工业温度: -40 °C 至 +85 °C

软件包

8 引脚小型集成电路( SOIC )封装

8 引脚薄型双扁平无引线( TDFN )封装

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。