制造商编号

Infineon 4Mbit FRAM, 8p, 串行 - SPI接口, 最长随机存取16ns, DFN封装, 512 kB x 8

RS 库存编号:: 181-1574P
制造商零件编号:: CY15B104Q-LHXI
制造商:: Infineon

Infineon 4Mbit FRAM, 8p, 串行 - SPI接口, 最长随机存取16ns, DFN封装, 512 kB x 8

可享批量折扣

小计 19 件 (按管提供)*

¥3,656.55

(不含税)

¥4,131.93

有库存

另外 262 件在 2025年12月08日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
19 - 36	RMB192.45
37 +	RMB190.92

* 参考价格

RS 库存编号:: 181-1574P
制造商零件编号:: CY15B104Q-LHXI
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	内存大小	4Mbit
	组织	512 kB x 8
	接口类型	串行 - SPI
	数据总线宽度	8Bit
	最长随机存取时间	16ns
	安装类型	贴片
	封装类型	DFN
	引脚数目	8
	尺寸	6 x 5 x 0.7mm
	长度	5mm
	最大工作电源电压	3.6 V
	宽度	6mm
	高度	0.7mm
	最高工作温度	+85 °C
	最小工作电源电压	2 V
	最低工作温度	-40°C
	字组数目	512K
	每字组的位元数目	8Bit

	选择全部
	品牌 Infineon
	内存大小 4Mbit
	组织 512 kB x 8
	接口类型串行 - SPI
	数据总线宽度 8Bit
	最长随机存取时间 16ns
	安装类型贴片
	封装类型 DFN
	引脚数目 8
	尺寸 6 x 5 x 0.7mm
	长度 5mm
	最大工作电源电压 3.6 V
	宽度 6mm
	高度 0.7mm
	最高工作温度 +85 °C
	最小工作电源电压 2 V
	最低工作温度 -40°C
	字组数目 512K
	每字组的位元数目 8Bit

逻辑上具有 4-Mbit 铁电随机存取存储器（ F-RAM ）
组织为 512 K x 8
高耐用性 100 万亿（ 1014 ）读 / 写
151 年数据保留
NoDelay ™写入
Advanced High-Reliability 铁电
超快串行外围接口 (SPI)
频率高达 40 MHz
串行闪存和 EEPROM 的直接硬件更换
支持 SPI 模式 0 （ 0 、 0 ）和模式 3 （ 1 、 1 ）
复杂的写保护方案
使用写保护（ WP ）引脚进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
软件块保护，适用于 1/4 、 1/2 或整个阵列
设备 ID
制造商 ID 和产品 ID
低功耗
1 MHz 时为 300 A 活动电流
A μ A （典型值）待机电流
3 A （典型值）睡眠模式电流
低压操作： VDD = 2.0 V 至 3.6 V
工业温度： -40 °C 至 +85 °C
软件包
8 引脚小型集成电路（ SOIC ）封装
8 引脚薄型双扁平无引线（ TDFN ）封装

Infineon 4Mbit FRAM, 8p, 串行 - SPI接口, 最长随机存取16ns, DFN封装, 512 kB x 8

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。