Infineon 2Mbit FRAM, 8p, 串行 - SPI接口, 最长随机存取11ns, DFN封装, 256 kB x 8
- RS 库存编号:
- 181-1599P
- 制造商零件编号:
- FM25V20A-DGQ
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 181-1599P
- 制造商零件编号:
- FM25V20A-DGQ
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 内存大小 | 2Mbit | |
| 组织 | 256 kB x 8 | |
| 接口类型 | 串行 - SPI | |
| 数据总线宽度 | 8Bit | |
| 最长随机存取时间 | 11ns | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | DFN | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 尺寸 | 6 x 5 x 0.7mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 宽度 | 6mm | |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V | |
| 高度 | 0.7mm | |
| 最高工作温度 | +105 °C | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最小工作电源电压 | 2 V | |
| 字组数目 | 256K | |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
内存大小 2Mbit | ||
组织 256 kB x 8 | ||
接口类型 串行 - SPI | ||
数据总线宽度 8Bit | ||
最长随机存取时间 11ns | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 DFN | ||
引脚数目 8 | ||
尺寸 6 x 5 x 0.7mm | ||
长度 5mm | ||
宽度 6mm | ||
最大工作电源电压 3.6 V | ||
高度 0.7mm | ||
最高工作温度 +105 °C | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最小工作电源电压 2 V | ||
字组数目 256K | ||
每字组的位元数目 8Bit | ||
2 兆位铁电随机存取存储器（ F-RAM ）逻辑
组织为 256 K x 8
高耐用性 10 万亿（ 1014 ）读 / 写
121 年数据保留
NoDelay ™写入
Advanced High-Reliability 铁电
超快串行外围接口 (SPI)
频率高达 33 MHz
串行闪存和 EEPROM 的直接硬件更换
支持 SPI 模式 0 （ 0 、 0 ）和模式 3 （ 1 、 1 ）
复杂的写保护方案
使用写保护（ WP ）引脚进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
软件块保护，适用于 1/4 、 1/2 或整个阵列
设备 ID
制造商 ID 和产品 ID
低功耗
33 MHz 时为 3 mA 有效电流
400 A 待机电流
12 A 睡眠模式电流
低压操作： VDD = 2.0 V 至 3.6 V
扩展温度： -40 °C 至 +105 °C
8 引脚薄型双扁平无引线（ DFN ）封装
组织为 256 K x 8
高耐用性 10 万亿（ 1014 ）读 / 写
121 年数据保留
NoDelay ™写入
Advanced High-Reliability 铁电
超快串行外围接口 (SPI)
频率高达 33 MHz
串行闪存和 EEPROM 的直接硬件更换
支持 SPI 模式 0 （ 0 、 0 ）和模式 3 （ 1 、 1 ）
复杂的写保护方案
使用写保护（ WP ）引脚进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
软件块保护，适用于 1/4 、 1/2 或整个阵列
设备 ID
制造商 ID 和产品 ID
低功耗
33 MHz 时为 3 mA 有效电流
400 A 待机电流
12 A 睡眠模式电流
低压操作： VDD = 2.0 V 至 3.6 V
扩展温度： -40 °C 至 +105 °C
8 引脚薄型双扁平无引线（ DFN ）封装