Infineon 64 kB FRAM, 8引脚, 最长随机存取3000 ns, SOIC封装, 8K x 8 位

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包装方式：
RS 库存编号:
181-7555P
制造商零件编号:
CY15B064J-SXE
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

存储器大小

64kB

产品类型

FRAM

组织

8K x 8 位

数据总线宽度

8Bit

最长随机存取时间

3000ns

安装类型

表面

最高时钟频率

1MHz

包装类型

SOIC

引脚数目

8

长度

3.8mm

宽度

4.8mm

高度

1.5mm

标准/认证

No

最高工作温度

125°C

每字组的位元数目

8

最低电源电压

2V

字组数目

8K

最大电源电压

3.6V

最低工作温度

-40°C

汽车标准

AEC-Q100

COO (Country of Origin):
US
64Kbit Ferro Electric Random Access Memory (F-RAM) 按逻辑组织为 8K x 8

高耐受性 10 万亿 (1013) 读 / 写

121 年数据保留（请参阅数据保留和寿命表）

No Delay ™（无延迟™）写入

Advanced High － Reliability Ferro Electric

快速 2 线串行接口 (I2C)

频率高达 1 MHz

串行 (I2C) EEPROM 的直接硬件更换

支持 100kHz 和 400kHz 的传统计时

低功耗

120A （典型）活动电流， 100kHz

6 收敛 A （典型）待机电流

电压操作： VDD = 3.0V 至 3.6V

汽车 - E 温度： -40 ℃至 +125 ℃

8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装

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