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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	内存大小	64Kbit
	组织	8K x 8 位
	接口类型	串行 - SPI
	数据总线宽度	8Bit
	最长随机存取时间	25ns
	安装类型	贴片
	封装类型	SOIC
	引脚数目	8
	尺寸	4.97 x 3.98 x 1.48mm
	长度	4.97mm
	宽度	3.98mm
	最大工作电源电压	3.6 V
	高度	1.48mm
	最高工作温度	+125 °C
	汽车标准	AEC-Q100
	字组数目	8K
	最低工作温度	-40°C
	每字组的位元数目	8Bit
	最小工作电源电压	3 V

	选择全部
	品牌 Infineon
	内存大小 64Kbit
	组织 8K x 8 位
	接口类型串行 - SPI
	数据总线宽度 8Bit
	最长随机存取时间 25ns
	安装类型贴片
	封装类型 SOIC
	引脚数目 8
	尺寸 4.97 x 3.98 x 1.48mm
	长度 4.97mm
	宽度 3.98mm
	最大工作电源电压 3.6 V
	高度 1.48mm
	最高工作温度 +125 °C
	汽车标准 AEC-Q100
	字组数目 8K
	最低工作温度 -40°C
	每字组的位元数目 8Bit
	最小工作电源电压 3 V

Datasheet CY15B064Q-SXE

逻辑上 64 Kbit FerroElectric 随机存取存储器 (F-RAM)
组织成 8K x 8
高耐受性 10 万亿 (1013) 读 / 写
121 年数据保留（请参阅数据保留和
耐久性表）
NoDelay ™写入
Advanced High － Reliability FerroElectric
非常快速的串行外设接口 (SPI)
高达 16MHz 的频率
直接硬件更换，用于串行闪存和 EEPROM
支持 SPI 模式 0 （ 0 ， 0 ）和模式 3 （ 1 ， 1 ）
完善的写保护方案
使用写保护 (WP) PIN 进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
1/4 ， 1/2 或整个阵列的软件块保护
低功耗
300 最小激活电流为 1MHz
6 在 +85 收敛时可获得 A （典型值）待机电流
低电压操作： VDD = 3.0V 至 3.6V
汽车 - E 温度： -40 ℃至 +125 ℃
8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装

单位	每单位
24 - 46	RMB33.735
48 +	RMB33.02

Infineon 64Kbit FRAM, 8p, 串行 - SPI接口, 最长随机存取25ns, SOIC封装, 8K x 8 位

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。