Infineon 2 MB FRAM, 8引脚, SPI接口, 最长随机存取9 ns, SOIC封装, 256k x 8 Bit
- RS 库存编号:
- 188-3437
- 制造商零件编号:
- CY15V102QN-50SXE
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 94 - 94 | RMB88.07 | RMB8,278.58 |
| 188 - 282 | RMB86.309 | RMB8,113.05 |
| 376 + | RMB83.72 | RMB7,869.68 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-3437
- 制造商零件编号:
- CY15V102QN-50SXE
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | FRAM | |
| 存储器大小 | 2MB | |
| 组织 | 256k x 8 Bit | |
| 接口类型 | SPI | |
| 数据总线宽度 | 8bit | |
| 最长随机存取时间 | 9ns | |
| 最高时钟频率 | 50MHz | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 长度 | 5.3mm | |
| 宽度 | 5.3 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.78mm | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大电源电压 | 1.89V | |
| 最低电源电压 | 1.71V | |
| 每字组的位元数目 | 8 | |
| 汽车标准 | AEC-Q100 | |
| 字组数目 | 256K | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 FRAM | ||
存储器大小 2MB | ||
组织 256k x 8 Bit | ||
接口类型 SPI | ||
数据总线宽度 8bit | ||
最长随机存取时间 9ns | ||
最高时钟频率 50MHz | ||
安装类型 表面 | ||
包装类型 SOIC | ||
引脚数目 8 | ||
长度 5.3mm | ||
宽度 5.3 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.78mm | ||
最高工作温度 125°C | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大电源电压 1.89V | ||
最低电源电压 1.71V | ||
每字组的位元数目 8 | ||
汽车标准 AEC-Q100 | ||
字组数目 256K | ||
2-Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 256K x 8
10 万亿 (1013) 读/写周期的几乎无限的耐用性
数据保存 121 年
NoDelay™ 写道
先进的高可靠性铁电工艺
快速串行外设接口（SPI）
频率高达 50 兆赫
支持 SPI 模式 0（0，0）和模式 3（1，1）
先进的写保护方案
使用写保护 (WP) 引脚进行硬件保护
使用禁写 (WRDI) 指令进行软件保护
为 1/4、1/2 或整个阵列提供软件块保护
设备 ID 和序列号
设备 ID 包括制造商 ID 和产品 ID
唯一 ID
序列号
专用 256 字节特殊扇区 F-RAM
专用特殊扇区写入和读取
存储的内容最多可保存 3 个标准回流焊接周期
低功耗
3.7 mA（典型值）（40 MHz 时）有效电流
2.7 μA（典型值）待机电流
1.1 μA（典型值）深度掉电模式电流
0.1 μA（典型值） 休眠模式电流
低电压运行：
CY15V102QN：VDD = 1.71 V 至 1.89 V
CY15B102QN：VDD = 1.8 V 至 3.6 V
汽车工作温度：-40 °C 至 +125 °C
符合 AEC-Q100 1 级标准
8 引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装