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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	内存大小	2Mbit
	组织	256K x 8 位
	接口类型	串行 - SPI
	数据总线宽度	8Bit
	最长随机存取时间	9ns
	安装类型	贴片
	封装类型	SOIC
	引脚数目	8
	尺寸	5.33 x 5.33 x 1.78mm
	长度	5.33mm
	最大工作电源电压	1.89 V
	宽度	5.33mm
	高度	1.78mm
	最高工作温度	+125°C
	最小工作电源电压	1.71 V
	汽车标准	AEC-Q100
	字组数目	256K
	最低工作温度	-40°C
	每字组的位元数目	8Bit

	选择全部
	品牌 Infineon
	内存大小 2Mbit
	组织 256K x 8 位
	接口类型串行 - SPI
	数据总线宽度 8Bit
	最长随机存取时间 9ns
	安装类型贴片
	封装类型 SOIC
	引脚数目 8
	尺寸 5.33 x 5.33 x 1.78mm
	长度 5.33mm
	最大工作电源电压 1.89 V
	宽度 5.33mm
	高度 1.78mm
	最高工作温度 +125°C
	最小工作电源电压 1.71 V
	汽车标准 AEC-Q100
	字组数目 256K
	最低工作温度 -40°C
	每字组的位元数目 8Bit

2-Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 256K x 8
10 万亿 (1013) 读/写周期的几乎无限的耐用性
数据保存 121 年
NoDelay™ 写道
先进的高可靠性铁电工艺
快速串行外设接口（SPI）
频率高达 50 兆赫
支持 SPI 模式 0（0，0）和模式 3（1，1）
先进的写保护方案
使用写保护 (WP) 引脚进行硬件保护
使用禁写 (WRDI) 指令进行软件保护
为 1/4、1/2 或整个阵列提供软件块保护
设备 ID 和序列号
设备 ID 包括制造商 ID 和产品 ID
唯一 ID
序列号
专用 256 字节特殊扇区 F-RAM
专用特殊扇区写入和读取
存储的内容最多可保存 3 个标准回流焊接周期
低功耗
3.7 mA（典型值）（40 MHz 时）有效电流
2.7 μA（典型值）待机电流
1.1 μA（典型值）深度掉电模式电流
0.1 μA（典型值）休眠模式电流
低电压运行：
CY15V102QN：VDD = 1.71 V 至 1.89 V
CY15B102QN：VDD = 1.8 V 至 3.6 V
汽车工作温度：-40 °C 至 +125 °C
符合 AEC-Q100 1 级标准
8 引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装

单位	每单位	Per Tube*
94 - 94	RMB88.725	RMB8,340.15
188 - 282	RMB86.951	RMB8,173.39
376 +	RMB84.342	RMB7,928.15

Infineon 2Mbit FRAM, 8p, 串行 - SPI接口, 最长随机存取9ns, SOIC封装, 256K x 8 位

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。