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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	内存大小	256Kbit
	组织	32K x 8 位
	接口类型	并行
	数据总线宽度	8Bit
	最长随机存取时间	70ns
	安装类型	贴片
	封装类型	SOIC
	引脚数目	28
	尺寸	18.11 x 7.62 x 2.37mm
	长度	18.11mm
	最大工作电源电压	5.5 V
	宽度	7.62mm
	高度	2.37mm
	最高工作温度	+85°C
	最低工作温度	-40°C
	每字组的位元数目	8Bit
	字组数目	32k
	汽车标准	AEC-Q100
	最小工作电源电压	4.5 V

	选择全部
	品牌 Infineon
	内存大小 256Kbit
	组织 32K x 8 位
	接口类型并行
	数据总线宽度 8Bit
	最长随机存取时间 70ns
	安装类型贴片
	封装类型 SOIC
	引脚数目 28
	尺寸 18.11 x 7.62 x 2.37mm
	长度 18.11mm
	最大工作电源电压 5.5 V
	宽度 7.62mm
	高度 2.37mm
	最高工作温度 +85°C
	最低工作温度 -40°C
	每字组的位元数目 8Bit
	字组数目 32k
	汽车标准 AEC-Q100
	最小工作电源电压 4.5 V

Datasheet FM1808B-SG

COO (Country of Origin):: US

FRAM，Cypress Semiconductor

铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM，用于串行和并行接口。后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计，并通过了 AEC-Q100 认证。

非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗

256-Kbit FerroElectric 随机存取存储器 (F-RAM) 按逻辑组织为 32K x 8
高耐久性 100 万亿（ 1014 ）读 / 写
151 年数据保留
NoDelay ™写入
Advanced High － Reliability FerroElectric
SRAM 和 EEPROM 兼容
工业标准 32K x 8 SRAM 和 EEPROM 引脚
70ns 访问时间， 130ns 周期时间
优于电池供电的 SRAM 模块
无电池问题
单片可靠性
真正的表面安装解决方案，无需再加工步骤
适用于潮湿，撞击和振动
抗负电压下射
低功耗
活动电流 15 mA （最大）
待机电流 25 μ A （典型值）
电压操作： VDD =4.5 V 至 5.5 V
工业温度： -40 ° C 至 +85 ° C
28 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

FRAM（铁电 RAM）

FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

单位	每单位	Per Tube*
27 - 27	RMB90.671	RMB2,448.12
54 - 81	RMB88.858	RMB2,399.17
108 +	RMB86.192	RMB2,327.18

Infineon 256Kbit FRAM, 28p, 并行接口, 最长随机存取70ns, SOIC封装, 32K x 8 位

FRAM，Cypress Semiconductor

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。