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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	内存大小	4Kbit
	组织	512 x 8 位
	接口类型	SPI
	数据总线宽度	8Bit
	最长随机存取时间	20ns
	安装类型	贴片
	封装类型	SOIC
	引脚数目	8
	尺寸	4.97 x 3.98 x 1.48mm
	长度	4.97mm
	宽度	3.98mm
	最大工作电源电压	5.5 V
	高度	1.48mm
	最高工作温度	+85°C
	汽车标准	AEC-Q100
	最低工作温度	-40°C
	最小工作电源电压	4.5 V
	字组数目	512
	每字组的位元数目	8Bit

	选择全部
	品牌 Infineon
	内存大小 4Kbit
	组织 512 x 8 位
	接口类型 SPI
	数据总线宽度 8Bit
	最长随机存取时间 20ns
	安装类型贴片
	封装类型 SOIC
	引脚数目 8
	尺寸 4.97 x 3.98 x 1.48mm
	长度 4.97mm
	宽度 3.98mm
	最大工作电源电压 5.5 V
	高度 1.48mm
	最高工作温度 +85°C
	汽车标准 AEC-Q100
	最低工作温度 -40°C
	最小工作电源电压 4.5 V
	字组数目 512
	每字组的位元数目 8Bit

Datasheet FM25040B-G

COO (Country of Origin):: US

FRAM，Cypress Semiconductor

铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM，用于串行和并行接口。后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计，并通过了 AEC-Q100 认证。

非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗

4-Kbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 按 512 x 8 逻辑组织
高耐久性 100 万亿（ 1014 ）读 / 写
151 年数据保留
NoDelay ™写入
Advanced High － Reliability FerroElectric
非常快速的串行外设接口 (SPI)
频率高达 20MHz
直接硬件更换，用于串行闪存和 EEPROM
支持 SPI 模式 0 （ 0 ， 0 ）和模式 3 （ 1 ， 1 ）
完善的写保护方案
使用写保护 (WP) PIN 进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
1/4 ， 1/2 或整个阵列的软件块保护
低功耗
在 1MHz 时为 250 μ A 有源电流
4 μ A （典型值）待机电流
电压操作： VDD =4.5 V 至 5.5 V
工业温度： -40 ° C 至 +85 ° C
8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

FRAM（铁电 RAM）

FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

单位	每单位	Per Tube*
97 - 97	RMB12.305	RMB1,193.59
194 - 291	RMB12.059	RMB1,169.72
388 +	RMB11.697	RMB1,134.61

Infineon 4Kbit FRAM, 8p, SPI接口, 最长随机存取20ns, SOIC封装, 512 x 8 位

FRAM，Cypress Semiconductor

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。