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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	内存大小	2Mbit
	组织	256k x 8 位
	接口类型	SPI
	数据总线宽度	8Bit
	最长随机存取时间	16ns
	安装类型	贴片
	封装类型	DFN
	引脚数目	8
	尺寸	6 x 5 x 0.7mm
	长度	5mm
	最大工作电源电压	3.6 V
	宽度	6mm
	高度	0.7mm
	最高工作温度	+85°C
	最小工作电源电压	2 V
	字组数目	256k
	汽车标准	AEC-Q100
	每字组的位元数目	8Bit
	最低工作温度	-40°C

	选择全部
	品牌 Infineon
	内存大小 2Mbit
	组织 256k x 8 位
	接口类型 SPI
	数据总线宽度 8Bit
	最长随机存取时间 16ns
	安装类型贴片
	封装类型 DFN
	引脚数目 8
	尺寸 6 x 5 x 0.7mm
	长度 5mm
	最大工作电源电压 3.6 V
	宽度 6mm
	高度 0.7mm
	最高工作温度 +85°C
	最小工作电源电压 2 V
	字组数目 256k
	汽车标准 AEC-Q100
	每字组的位元数目 8Bit
	最低工作温度 -40°C

Datasheet FM25V20A-DG

FRAM，Cypress Semiconductor

铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM，用于串行和并行接口。后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计，并通过了 AEC-Q100 认证。

非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗

2-Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) ，按逻辑组织为 256K x 8
高耐久性 100 万亿（ 1014 ）读 / 写
151 年数据保留（请参阅数据保留和寿命表）
NoDelay ™写入
Advanced High － Reliability FerroElectric
非常快的 SPI
频率高达 40MHz
直接硬件更换，用于串行闪存和 EEPROM
支持 SPI 模式 0 （ 0 ， 0 ）和模式 3 （ 1 ， 1 ）
完善的写保护方案
使用写保护 (WP) PIN 进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
1/4 ， 1/2 或整个阵列的软件块保护
设备 ID
制造商 ID 和产品 ID
低功耗
300 μ A 工作电流， 1MHz
100 μ A （典型）待机电流
3 μ A 睡眠模式电流
低电压操作： VDD = 2.0 V 至 3.6 V
工业温度： -40 ° C 至 +85 ° C
软件包
8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装
8 引脚双扁平无引线 (DFN) 封装

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

FRAM（铁电 RAM）

FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

单位	每单位	Per Tube*
74 - 74	RMB141.223	RMB10,450.50
148 - 666	RMB138.398	RMB10,241.45
740 +	RMB135.63	RMB10,036.62

Infineon 2Mbit FRAM, 8p, SPI接口, 最长随机存取16ns, DFN封装, 256k x 8 位

FRAM，Cypress Semiconductor

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。