Cypress Semiconductor 8Mbit FRAM, 8p, 串行 - SPI接口, 最长随机存取450 (Minimum)μs, g設 計和設計封装, 1024K x 8 位, CY15V108QN-40LPXI

采用 Advanced ferroelectric process 的低功耗 8 兆位非电压内存。铁电随机存取存储器或 f － ram 是非易失性的，可执行类似于 ram 的读写操作。它提供可靠的数据保留 151 年、同时消除了串行闪存、 eeprom 和其他非易失存储器所导致的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和 eeprom 不同、可在总线速度下执行写入操作。 每个字节成功传输到设备后，数据将立即写入内存阵列。下一个总线周期可以开始、无需进行数据轮询。与其他非易失存储器相比、具有较大的写入耐受性。能够支持 1015 个读 / 写周期、或比 eeprom 多 1000 万次的 more勋 位周期。特别适用于需要频繁或 Rapid 写入的非易失存储器应用。作为硬件嵌入式更换、为串行 eeprom 或闪存的用户提供实质性优势。