Infineon 1Mbit FRAM, 8p, 串行 - I2C接口, SOIC封装, 128K x 8
- RS 库存编号:
- 273-7383
- 制造商零件编号:
- FM24VN10-G
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB89.75 |
| 10 - 24 | RMB87.07 |
| 25 - 49 | RMB82.40 |
| 50 - 99 | RMB80.76 |
| 100 + | RMB79.49 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-7383
- 制造商零件编号:
- FM24VN10-G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 内存大小 | 1Mbit | |
| 组织 | 128K x 8 | |
| 接口类型 | 串行 - I2C | |
| 数据总线宽度 | 8Bit | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
内存大小 1Mbit | ||
组织 128K x 8 | ||
接口类型 串行 - I2C | ||
数据总线宽度 8Bit | ||
封装类型 SOIC | ||
引脚数目 8 | ||
这种 Infineon FRAM 是一种采用先进铁电工艺的 1 Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器 (FRAM) 是一种非易失性存储器，其读写功能与 RAM 相似。它能可靠保留数据长达 151 年，同时消除了 EEPROM 和其他非易失性存储器导致的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与 EEPROM 不同，它以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入内存阵列。无需进行数据轮询，即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品高度耐受写入。
符合 RoHS 标准
低功耗
快速 2 线串行接口
高度耐用，100 万亿次读写
高度可靠的先进铁电工艺
低功耗
快速 2 线串行接口
高度耐用，100 万亿次读写
高度可靠的先进铁电工艺