Infineon 4 kB FRAM, 8引脚, 串行 - SPI接口, SOIC封装, 512 x 8 位

RS 库存编号:: 273-7387
制造商零件编号:: FM25L04B-G
制造商:: Infineon

Infineon 4 kB FRAM, 8引脚, 串行 - SPI接口, SOIC封装, 512 x 8 位

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20 - 48	RMB14.78	RMB29.56
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RS 库存编号:: 273-7387
制造商零件编号:: FM25L04B-G
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	存储器大小	4kB
	产品类型	FRAM
	组织	512 x 8 位
	接口类型	串行 - SPI
	数据总线宽度	8Bit
	最高时钟频率	20MHz
	包装类型	SOIC
	引脚数目	8
	标准/认证	Restriction of hazardous substances (RoHS)
	最高工作温度	85°C
	最低工作温度	40°C
	汽车标准	否
	最大电源电压	3.6V
	字组数目	512
	每字组的位元数目	8
	最低电源电压	2.7V

	选择全部
	品牌 Infineon
	存储器大小 4kB
	产品类型 FRAM
	组织 512 x 8 位
	接口类型串行 - SPI
	数据总线宽度 8Bit
	最高时钟频率 20MHz
	包装类型 SOIC
	引脚数目 8
	标准/认证 Restriction of hazardous substances (RoHS)
	最高工作温度 85°C
	最低工作温度 40°C
	汽车标准否
	最大电源电压 3.6V
	字组数目 512
	每字组的位元数目 8
	最低电源电压 2.7V

Datasheet - FM25L04B-G

Infineon FRAM采用先进的铁电工艺，是一款4Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器 (FRAM) 是一种非易失性存储器，其读写功能与 RAM 相似。它能可靠保留数据长达 151 年，同时消除了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器导致的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和 EEPROM 不同，它以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入内存阵列。无需进行数据轮询，即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品高度耐受写入。

符合 RoHS 标准

超高速串行外围设备接口

先进的写保护方案

高耐久性，100万亿次读写

先进的高可靠性铁电工艺

Infineon 4 kB FRAM, 8引脚, 串行 - SPI接口, SOIC封装, 512 x 8 位

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