onsemi , NCV51752CDDR2G MOSFET MOSFET, SOIC-8 NB, 1个驱动器, 8引脚 20 V, 表面安装, 9 A输出
- RS 库存编号:
- 220-559
- 制造商零件编号:
- NCV51752CDDR2G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB27.065 | RMB54.13 |
| 20 - 198 | RMB24.36 | RMB48.72 |
| 200 - 998 | RMB22.47 | RMB44.94 |
| 1000 - 1998 | RMB20.845 | RMB41.69 |
| 2000 + | RMB18.675 | RMB37.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-559
- 制造商零件编号:
- NCV51752CDDR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 输出电流 | 9A | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 下降时间 | 8.3ns | |
| 包装类型 | SOIC-8 NB | |
| 输出数目 | 1 | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 上升时间 | 22ns | |
| 最低电源电压 | 3V | |
| 驱动器数目 | 1 | |
| 最大电源电压 | 20V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q100, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned), UL1577 (Planned), CQC GB4943.1-2011 (Planned) | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 系列 | NCV51752 | |
| 宽度 | 6.2 mm | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 汽车标准 | AEC-Q100 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
输出电流 9A | ||
引脚数目 8 | ||
下降时间 8.3ns | ||
包装类型 SOIC-8 NB | ||
输出数目 1 | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
上升时间 22ns | ||
最低电源电压 3V | ||
驱动器数目 1 | ||
最大电源电压 20V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 AEC-Q100, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned), UL1577 (Planned), CQC GB4943.1-2011 (Planned) | ||
高度 1.75mm | ||
长度 5mm | ||
系列 NCV51752 | ||
宽度 6.2 mm | ||
安装类型 表面 | ||
汽车标准 AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
安森美半导体隔离式单通道栅极驱动器，源极和灌极峰值电流分别为 4.5 A/9 A。它们设计用于快速开关，以驱动功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 功率开关。
最小 CMTI 为 200 V/ns dV/dt
输入引脚的负 5 V 处理能力