不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 264-652
- 制造商零件编号:
- BM3G015MUV-LBE2
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 电源电压 | 650V | |
| 引脚数目 | 46 | |
| 封装类型 | VQFN046V8080 | |
| 下降时间 | 2.4ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
电源电压 650V | ||
引脚数目 46 | ||
封装类型 VQFN046V8080 | ||
下降时间 2.4ns | ||
ROHM Nano Cap EcoGaN 150mΩ 2MHz GaN HEMT 功率级集成电路专为工业应用中的长期支持而设计，具有高功率密度和高效率。通过将 650V 增强型 GaN HEMT 和硅驱动器集成到 ROHM 的原始封装中，与传统的分立式解决方案相比，它大大降低了寄生电感。这使得开关压摆率高达 150V/ns，同时保持了可调节的栅极驱动强度，从而降低了 EMI。集成电路包括各种保护特性和附加功能，以优化成本和 PCB 尺寸。其设计与现有的主要控制器兼容，是超级结 MOSFET 等传统分立电源开关的理想替代品。
用于工业应用的长期支持产品
VDD 引脚电压工作范围广
IN 引脚电压工作范围广
低 VDD 静态和工作电流
低传播延迟
电源良好信号输出
可调节闸门驱动强度
VDD 引脚电压工作范围广
IN 引脚电压工作范围广
低 VDD 静态和工作电流
低传播延迟
电源良好信号输出
可调节闸门驱动强度