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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-697
- 制造商零件编号:
- GNP1070TC-ZE2
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 电源电压 | 650V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 封装类型 | DFN8080K | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
电源电压 650V | ||
引脚数目 8 | ||
封装类型 DFN8080K | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
ROHM E 模式氮化镓(GaN)场效应晶体管是一种 650V GaN HEMT,达到了业界最高级别的 FOM(Ron Ciss Ron Coss)。它属于 EcoGaN 系列产品,通过充分利用低导通电阻和高速开关,有助于提高功率转换效率并缩小尺寸。内置 ESD 保护功能,实现高可靠性设计。此外,这种多功能封装还具有出色的散热性能,便于安装。
650V E 模式 GaN FET
70mΩ 电阻
5.2nC 栅极电荷
70mΩ 电阻
5.2nC 栅极电荷
