Microchip , MIC5018YM4-TR MOSFET 高侧, SOIC, 4引脚 9 V, 150 μA输出
- RS 库存编号:
- 333-248
- 制造商零件编号:
- MIC5018YM4-TR
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 333-248
- 制造商零件编号:
- MIC5018YM4-TR
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 输出电流 | 150μA | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 驱动器类型 | 高侧 | |
| 最低电源电压 | 2.7V | |
| 最大电源电压 | 9V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 MOSFET | ||
输出电流 150μA | ||
引脚数目 4 | ||
包装类型 SOIC | ||
驱动器类型 高侧 | ||
最低电源电压 2.7V | ||
最大电源电压 9V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip 高压侧 MOSFET 栅极驱动器设计用于在高压侧或低压侧开关应用中通过 TTL 兼容控制信号切换 N 沟道增强型 MOSFET。它由 2.7 V 至 9 V 电源供电，具有极低的关断状态电源电流。内部电荷泵驱动的栅极输出高于驱动器的电源电压，可以无限期地维持栅极电压。内部齐纳二极管将栅极到源极电压限制在标准 N 沟道 MOSFET 的安全水平。
用于高压侧低压应用的充电泵
内部齐纳二极管栅极对地 MOSFET 保护
以低边和高边配置运行
TTL 兼容输入
ESD 保护